VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測試設(shè)備

影響閘機(jī)的因素有很多VISHAY MOSFET，有必要了解其基本原理VISHAY MOSFET行為之前的器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)可以被解釋。本應(yīng)用筆記詳細(xì)介紹了基本結(jié)構(gòu)溝槽VISHAY  MOSFET 結(jié)構(gòu)，識別寄生組件和定義相關(guān)術(shù)語。VISHAY  MOSFET 具有多種拓?fù)?、開關(guān)速度、負(fù)載電流和可用的輸出電壓，

VISHAY  MOSFET 已成為無法確定提供最佳性能的通用 MOSFET在廣泛的電路條件下的性能。VISHAY  MOSFET 在在某些情況下，導(dǎo)通電(rDS(on)) 損失占主導(dǎo)地位，而在其他情況下，VISHAY  MOSFET 是開關(guān)損耗瞬態(tài)電流和電壓波形，或損失與驅(qū)動器件的柵極相關(guān)聯(lián)。VISHAY  MOSFET 輸入和輸出電容可以是占主導(dǎo)地位的損失。

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