工頻沖擊試驗(yàn)變壓器華電博倫

必須設(shè)有一個(gè)可靠接地點(diǎn)，接地電阻<1Ω!

沖擊電壓試驗(yàn)設(shè)備裝置輸出的電壓波形及效率：

1．在4000pF（包含分壓器及截波電容）負(fù)荷電容下，可獲得

A．標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊全波電壓波形

波頭時(shí)間:1.2±30%μs

波尾時(shí)間:50±20%μs

過沖：小于5%

效率：不低于90%

B．標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊截波電壓波形

波頭時(shí)間:1.2±30%μs

過沖：小于5%

截?cái)鄷r(shí)間:2~6μs，電子時(shí)延控制

效率：不低于90%

采用截?cái)嘌b置可產(chǎn)生截?cái)鄷r(shí)間2~6μs的雷電截波，截波分散性小于100ns。

同步范圍：大于20%

C．標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊全波電壓波形

波頭時(shí)間:250±20%μs

波尾時(shí)間:2500±60%μs

效率：不低于80%

D.產(chǎn)生陡度大于1000kV/μs的陡波沖擊波形(適用合成硅絕緣子)

產(chǎn)生陡度大于2500kV/μs的陡波沖擊波形(適用瓷玻璃絕緣子)

2．觸發(fā)范圍: 不小于20%，同步范圍：大于20%

3．使用持續(xù)時(shí)間：

小于80%額定工作電壓時(shí)可連續(xù)工作

大于80%額定工作電壓時(shí)可間斷工作

4.  幅值調(diào)節(jié)誤壓差小于1%，低輸出電不大于10%設(shè)備標(biāo)稱電壓。

5. 同步誤動(dòng)率：小于1%

6. 基本外型:2800×1500×8000（總高）mm, 約2800kg。

沖擊電壓試驗(yàn)設(shè)備裝置的技術(shù)參數(shù)

   型號(hào)規(guī)格及技術(shù)參數(shù)1 沖擊電壓發(fā)生器

(含自動(dòng)直流充電電源)BL-1800kV/180kJ沖擊發(fā)生器

1.額定標(biāo)稱電壓:±1800kV

2.額定能量:180kJ, 20kJ/級(jí)

3.級(jí)數(shù):9級(jí)

4.每級(jí)充電電壓:±200kV

5.每級(jí)主電容:1.0μF,200kV

6.雙邊對(duì)稱恒流充電，

自動(dòng)變換充電極性。

LGR-200kV/200mA充電電源

1.額定輸出電壓:±100kV DC

正負(fù)極性對(duì)稱充電輸出；

2.額定輸出電流:200mA

3.可控硅模塊調(diào)壓，調(diào)壓范圍0～ Un；

4輸入電壓： 380V 單相電壓

5.電源頻率：50/60 Hz

6.電源消耗：約20kVA