EM602-10 Mini TEM Cell*緊湊的設(shè)計(jì)針對(duì)超出標(biāo)準(zhǔn)TEM Cell頻率范圍的中等精度測(cè)量進(jìn)行了優(yōu)化。 EM601-6的工作原理與TEM Cell相同。測(cè)試腔體內(nèi)的E-H場(chǎng)與輸入電壓成比例，與小室的高度成反比。當(dāng)輻射物嵌入小室內(nèi)部時(shí)，輻射波經(jīng)傳輸線(xiàn)引導(dǎo)，朝著小室的輸入/輸出端口移動(dòng)，并通過(guò)諸如頻譜分析儀的接收器在端口進(jìn)行輻射信號(hào)接收。利用這種方法，可以定量測(cè)量來(lái)自輻射物的RFI。由于該設(shè)備工作頻段寬，因此可應(yīng)用在EMI，EMS，接收機(jī)靈敏度測(cè)試等很多領(lǐng)域。

特征

高達(dá)6 GHz帶寬（超過(guò)普通TEM的 1 GHz帶寬）

可承受高達(dá)5 kV的高壓脈沖注入，進(jìn)行瞬態(tài)場(chǎng)測(cè)試

EM602-10 Mini TEM Cell應(yīng)用 ：

IC的電磁抗擾度測(cè)試

IC的電磁輻射測(cè)試

IC的ESD場(chǎng)敏感度測(cè)試

IEC 61967-2：2005集成電路 – 150 kHz至1 GHz的電磁輻射測(cè)量 – 第2部分：輻射發(fā)射的測(cè)量 – TEM單元和寬帶TEM單元法

IEC 61967-8：2011集成電路 – 150 kHz至3 GHz的電磁輻射測(cè)量 – 第8部分：輻射發(fā)射的測(cè)量 – IC帶狀線(xiàn)方法

IEC 62132-8：2012集成電路 – 電磁抗擾度測(cè)量，150 kHz至3 GHz – 第8部分：輻射抗擾度測(cè)量 – IC帶狀線(xiàn)方法

SAE 1752-3集成電路輻射發(fā)射的測(cè)量 – TEM /寬帶TEM（GTEM）單元法; TEM Cell（150 kHz至1 GHz），寬帶TEM單元（150 kHz至8 GHz）