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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 電化學工作站 | 應用領域 | 環(huán)保,食品,化工,生物產(chǎn)業(yè),綜合 |
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
CS2350H雙恒電位儀是基于常規(guī)單通道系列CS350型發(fā)展而來，內(nèi)置兩套可實現(xiàn)獨立、同時測試的恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流。具體應用于：
（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化、電解等反應機理研究；
（2）電化學分析研究，包括：氧還原研究（ORR）、氧析出研究（OER）、氫析出（HER）、二氧化碳還原等；
（3）能源材料（鋰離子電池、太陽能電池、燃料動力電池和超級電容器等）、*功能材料以及傳感器的性能研究；
（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評價；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護效率的快速評價。
CS2350H除了具備單通道工作站的所有特點，還可用于電化學分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬中氫擴散測試有著廣泛的運用。
功能方法
穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL曲線）、動電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計時分析
計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測法（DDPA）、三脈沖電流檢測法（TPA）、積分脈沖電流檢測法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
電化學阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學阻抗（EIS）～時間掃描、電化學阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）
腐蝕測量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動電位再活化法（EPR)、電化學噪聲（EN）、電偶腐蝕測量（ZRA）、氫擴散測試
電池測試
電池充放電測試、恒電流充放電
擴展測量
盤環(huán)電極測試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機控制、其它外設擴展端口（定制）
硬件參數(shù)指標
雙恒電位儀： | 恒電流控制范圍：±2A |
電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) | 電流靈敏度：1pA |
電位上升時間：＜1μs(<10mA),＜10μs(<2A) | 電流量程：2A～2nA, 共10檔 |
參比電極輸入阻抗：1012Ω||20pF | 大輸出電流：2A |
槽壓輸出：±21V | 電流掃描增量：1mA @1A/mS |
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s | 電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS |
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s | DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
SWV頻率：0.001～100KHz | CV的小電位增量：0.075mV |
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz | 電流與電位量程：自動設置 |
DA分辨率：16bit，建立時間：1μS | 低通濾波器 ：8段可編程 |
通訊接口：網(wǎng)口 | 儀器凈重：7.5Kg |
外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
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電化學阻抗測量參數(shù)
信號發(fā)生器 | |
頻率響應：10μHz～1MHz | 交流信號幅值：1mV～2500mV |
頻率精確度：0.005% | 信號分辨率：0.1Mv RMS |
直流偏壓：-10V～+10V | DDS輸出阻抗：50Ω |
波形：正弦波，三角波，方波 | 正弦波失真率：<1% |
掃描方式：對數(shù)/線性，增加/下降 |
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信號分析器 | |
大積分時間：106個循環(huán)或者105S | 測量時間延遲：0～105秒 |
小積分時間：10mS 或者一個循環(huán)的長時間 | |
直流偏置補償 | |
電位補償范圍：-10V～+10V | 電流補償范圍：-1A～+1A |
帶寬調(diào)整：自動或手動設置, 共8級可調(diào) |
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典型應用
配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系
在測量圓盤電極極化曲線的同時，將環(huán)電壓設置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢，用以檢測圓盤電極上產(chǎn)生的反應中間物，該方法也成為檢測反應中間物和研究電極反應機理的典型流體動力學方法。氧還原反應的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測得：
其中知Idisk和Iring分別為測得的盤電流和環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測試結(jié)果代入以上公式即可求得實際反應的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n和H2O2（%）所占比例。
金屬中氫擴散測試
兩個恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽極氧化電流測量，進而計算氫原子在金屬中擴散系數(shù)和氫通量。
配置：
1）儀器主機1臺
2）CS Studio測試與分析軟件1套
3）電解池（含鹽橋和排氣管）2套
4）鉑金電極、參比電極、工作電極各2支
5）模擬電解池1個
6）電源線/通訊線各1條
7）電極電纜線2條
8）屏蔽箱（選配*）