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深圳市科晶智達(dá)科技有限公司
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MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌深圳科晶

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間:2024-11-06 15:42:24瀏覽次數(shù):309次

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產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,石油,能源,交通,汽車
應(yīng)用范圍:MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀可在襯底基片上濺射一層薄膜,原理是由惰性工藝氣體產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象生成帶電離子,帶電離子經(jīng)過電場(chǎng)加速后轟擊固體靶材表面,使靶材表面原子和分子被轟擊飛濺出來,同時(shí)產(chǎn)生二次電子,再次撞擊氣體原子而形成更多的帶電離子,從靶材濺射出來的粒子在低壓氣氛中向硅片作渡越運(yùn)動(dòng),碰撞到襯底基片上并被基片吸附,最終凝聚在襯底形成需要的薄膜。

MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀

MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀可在襯底基片上濺射一層薄膜,原理是由惰性工藝氣體產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象生成帶電離子,帶電離子經(jīng)過電場(chǎng)加速后轟擊固體靶材表面,使靶材表面原子和分子被轟擊飛濺出來,同時(shí)產(chǎn)生二次電子,再次撞擊氣體原子而形成更多的帶電離子,從靶材濺射出來的粒子在低壓氣氛中向硅片作渡越運(yùn)動(dòng),碰撞到襯底基片上并被基片吸附,最終凝聚在襯底形成需要的薄膜。

  功能特點(diǎn)
  • 設(shè)備設(shè)計(jì)緊湊,可與手套箱對(duì)接;

  • 極限真空度優(yōu)于5E-5Pa(干燥環(huán)境),濺射尺寸兼容多種規(guī)格,最大為100*100mm,并支持基片旋轉(zhuǎn)速度0~30rpm連續(xù)可調(diào);

  • 采用不銹鋼真空室,內(nèi)部電拋光處理,配備觀察窗、靶槍及擋板轉(zhuǎn)軸等;

  • 真空系統(tǒng)采用“分子泵+機(jī)械泵"組合,具有高效的抽速和完善的真空測(cè)量系統(tǒng);

  • 氣體控制方面,具備3路進(jìn)氣并可通過流量計(jì)精確控制;

  • 配有3個(gè)共焦向上濺射的圓形靶槍, 可以支持低氣壓濺射以減小二次電子損傷;

  • 設(shè)備提供旋轉(zhuǎn)加熱工件臺(tái),可調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速、加熱溫度以及與靶之間的距離

  技術(shù)參數(shù)
電源三相五線制AC380V±10%,頻率:50Hz,總功率約6KW
氣源壓縮空氣:干燥、干凈、無水、無油的壓縮空氣,8mm塑料氣管,壓力5.5~6公斤(0.55-0.6Mpa)
普通氮?dú)猓焊稍锏獨(dú)?,用于設(shè)備腔室破真空,8mm塑料氣管,壓力1-2公斤(0.1-0.2Mpa)
工藝氣體:高純,99.999%,共兩路工藝氣體,6mm不銹鋼管,其中一路為高純氬氣,壓力1~2公斤(0.1-0.2Mpa),另外兩路工藝氣體按工藝需求準(zhǔn)備
水源流量15-20升/分鐘水溫15~25℃,
進(jìn)水和出水壓差1~2公斤,進(jìn)水壓力2~3公斤,
設(shè)備的進(jìn)水和出水口外徑12mm
(建議在設(shè)備的進(jìn)水口前安裝一個(gè)球閥,方便調(diào)節(jié)水壓和水流量)
真空室304不銹鋼真空室,內(nèi)部電拋光
前后開門,門上有1個(gè)80mm觀察窗,帶擋板,防輻射
底部安裝3個(gè)靶槍及擋板轉(zhuǎn)軸
側(cè)壁及底部有備用法蘭接口以備將來使用
可拆卸不銹鋼內(nèi)襯,手?jǐn)Q拆卸方便清理
真空系統(tǒng)組成分子泵+機(jī)械泵組合式真空系統(tǒng),氣動(dòng)閥門
分子泵:中科科儀分子泵FF200/1300,抽速:1300L/s
機(jī)械泵:鮑斯BSV-30機(jī)械泵,抽速:9L/s
真空閥門:型號(hào):DN40mm 擋板閥2套;主閥DN200 1套,可調(diào)限流閥1套,進(jìn)口薄膜真空計(jì)1套,量程0.0001torr-0.1torr,自動(dòng)調(diào)壓
真空密封:可拆靜密封采用氟橡膠圈密封,不常拆靜密封采用無氧銅密封
真空極限真空極限優(yōu)于5×10-5Pa(干燥環(huán)境)
抽速抽氣時(shí)間:大氣壓~工作真空(5*10-4Pa),約20min(對(duì)接手套箱氮?dú)猸h(huán)境)
真空計(jì)1個(gè)兩低一高2個(gè)真空計(jì),測(cè)量范圍:大氣到1E-5Pa
氣體控制3路進(jìn)氣,采用Horiba Metron(中日合資)流量計(jì)控制進(jìn)氣,流量計(jì)最大流量分別為200/100/50sccm,兩路氣體經(jīng)過流量計(jì)后混合,混合后導(dǎo)入真空室靶面
濺射靶槍3個(gè)2英寸圓形靶槍,共焦向上濺射
靶槍和工件距離80-120mm,可調(diào)節(jié)
每個(gè)靶槍帶一個(gè)獨(dú)立的電控氣動(dòng)擋板
可實(shí)現(xiàn)低氣壓濺射,減小二次電子損傷樣品基底
濺射電源1臺(tái)G-POWER功率500W自動(dòng)匹配射頻電源:
最大輸出功率500W,頻率13.56MHz,輸出采用功率控制模式,自動(dòng)匹配,匹配時(shí)間短,反射功率小于3W;
1臺(tái)北京持動(dòng)力直流濺射電源:
最大輸出功率500W,輸出可切換采用功率控制模式,恒流模式,恒壓模式,電源帶完善的異常打火,短路等保護(hù)功能耐用易用
旋轉(zhuǎn)加熱工件臺(tái)最大可放置襯底基片樣品尺寸:100mm*100mm,兼容3英寸、2英寸、φ45mm、φ30mm,以及小尺寸方形片(對(duì)角線長(zhǎng)度小于45mm)
基片轉(zhuǎn)速0-30rpm連續(xù)可調(diào),旋轉(zhuǎn)軸水冷保護(hù)
轉(zhuǎn)軸磁流體密封
樣品臺(tái)加熱溫度:最高溫度500℃,控溫誤差±1℃
樣品臺(tái)和靶之間距離采用焊接波紋管密封電動(dòng)可調(diào),帶刻度顯示
成膜質(zhì)量:樣品范圍內(nèi)均勻性優(yōu)于±5%
控制系統(tǒng)西門子PLC+西門子觸摸屏手自動(dòng)控制系統(tǒng)
控制內(nèi)容:機(jī)械泵,分子泵,氣動(dòng)、電磁閥門、流量計(jì)等等;自動(dòng)抽真空,自動(dòng)排氣等
完整的互鎖保護(hù)(硬件、軟件互鎖)
真空室尺寸約W400*D400*H450mm
外形尺寸約W780*D930*H1820mm


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