美國安捷倫Agilent進(jìn)口渦輪分子泵Turbo-V 3K-G(如 V 2K-G 一樣)其葉片級數(shù)和泵的整體結(jié)構(gòu)均經(jīng)過優(yōu)化,可以工作在高純氬氣氛圍下和溫度*的環(huán)境中。此外,它還擁有內(nèi)置的控制器件、一體化的放空和吹掃閥以及免維護(hù)的軸承。所有這些特點(diǎn)使 Agilent Turbo-V 3K-G 渦輪分子泵成為鍍膜工業(yè)出色泵解決方案。
特性:
1,“一體化”系統(tǒng)
2,同類產(chǎn)品中抽速高
3,無油、耐用、可靠
4,MTTF 超過 200000 小時
5,高級轉(zhuǎn)子設(shè)計(jì)大幅度降低了重量和機(jī)械應(yīng)力
6,擁有特制的轉(zhuǎn)子軸配合技術(shù)可大大降低轉(zhuǎn)子拉伸應(yīng)力
7,采用了安捷倫 A-PLUS 軟件(原 T-plus)
美國安捷倫Agilent進(jìn)口渦輪分子泵應(yīng)用范例:
安捷倫渦輪分子泵包括集成泵組和多流路泵,其設(shè)計(jì)旨在實(shí)際應(yīng)用中達(dá)到高性能。泵的緊湊型設(shè)計(jì)滿足工業(yè)中的嚴(yán)苛空間要求。渦旋分子泵幾乎不需要維護(hù),并可避免錯誤使用。無論您是終端用戶還是原始設(shè)備制造商,安捷倫均可針對您的應(yīng)用為您提供幫助和支持,或定制適合您的需求的系統(tǒng)。
領(lǐng)域 | 應(yīng)用 | 詳細(xì)說明 |
質(zhì)譜和分析儀器 | - 針對質(zhì)譜系統(tǒng)優(yōu)化的全系列泵和控制器
- 具有多入口泵組的定制泵
- 低成本、易于使用、高分析性能
- 對于 GC/MS,提供用于相對低氣體載荷環(huán)境的 1 個真空室和用于分析無機(jī)樣品的中等真空接口
- 對于 LC/MS,需要提供多室、高通量真空系統(tǒng)
- 對于 ICP-MS,提供多種真空系統(tǒng),包括用于氬氣等重載氣的泵和使用氦氣的碰撞池
- 對于 TOF 系統(tǒng),需要較小尺寸、高通量和高效的散熱設(shè)備
| - 質(zhì)譜
- GC/MS
- LC/MS
- ICP-MS
- TOF
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科研中的真空應(yīng)用 | - 非常清潔、可靠和高性價比的 HV 和 UHV
- 粗真空軸承未暴露于 UHV,降低了污染
- 高速和高壓縮
- 可以以任意角度安裝
- 聯(lián)用 Turbo-V 和 TriScroll 干式泵可泵送大量氣體
| - 高能物理
- 融合技術(shù)
- 一般 UHV 研究
- 同步光源粒子加速器
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工業(yè)真空加工 | - 為薄膜沉積應(yīng)用而專門設(shè)計(jì)的集成分子泵解決方案
- 適用于原始設(shè)備制造商和終端用戶的專業(yè)性能
- 適用于具有預(yù)真空鎖或大型內(nèi)聯(lián)連續(xù)系統(tǒng)的單室批量系統(tǒng)和多室系統(tǒng)的泵
| 薄膜沉積: - 玻璃涂層設(shè)備(建筑和汽車玻璃,平板顯示器)
- 薄膜太陽能電池生產(chǎn)(光電)
- 光學(xué)數(shù)據(jù)介質(zhì)(CD、DVD、磁光光盤)
- 磁性存儲介質(zhì)
- 表面處理
- 光學(xué)涂層(眼科、精密光電)
- 膜或箔上的輥式/卷繞涂覆
設(shè)備加工: - 生產(chǎn)電視機(jī)和顯示器顯像管
- 疏散燈(高速公路照明、投影機(jī))
- X 射線管和電子設(shè)備
一般工藝: |
納米技術(shù)儀器 | - 分析從有機(jī)化合物到半導(dǎo)體晶片等各類物質(zhì)
- 全系列的高真空和超高真空泵特別適用于要求嚴(yán)苛的 SEM、TEM 和表面分析系統(tǒng)
- 低振動渦旋泵適用于敏感的顯微分析
- 可快速、無油式排空大型樣品室內(nèi)的氣體
- 集成的泵控制器可靈活進(jìn)行控制,幾乎不生成電磁噪音
- 非常適合為半導(dǎo)體生產(chǎn)創(chuàng)造合適環(huán)境
- 高轉(zhuǎn)速確保能夠以高泵速抽空半導(dǎo)體生產(chǎn)中釋放的輕質(zhì)氣體(He、H)
- 符合高速循環(huán)應(yīng)用的嚴(yán)格要求,例如真空裝載鎖
- 通過對多個渦旋泵聯(lián)用一個前級泵,可提高工具的可靠性
- 聯(lián)用 Turbo-V 和 TriScroll 干式泵可泵送大量氣體
- 安裝于支架上的控制器或一體式控制器允許將電子設(shè)備放置于遠(yuǎn)處
| - 電子顯微鏡(SEM、TEM)
- 聚焦離子束系統(tǒng) (FIB)
- 表面分析
- 半導(dǎo)體制造
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技術(shù)規(guī)格:
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抽速: | N2:2200 L/s | He:1900 L/s | Ar:2050 L/s |
壓縮比: | N2:> 1 × 107 | He:6 × 103 | Ar:1 × 108 |
極限真空*(使用推薦的前級泵) | < 1 × 10-8 mbar | | |
入口法蘭 | ISO 250F | | |
前級管道法蘭 | KF 40 NW | | |
額定轉(zhuǎn)速 | 31800 rpm | | |
使用推薦前級泵,無氣體負(fù)載的啟動時間 | < 6 分鐘 | | |
前級壓力 | < 0.5 mbar | | |
推薦的小前級泵 | > 60 m3/h(取決于氣體流速要求) | | |
工作位置 | 任意位置 | | |
冷卻要求 | 水 | | |
重量 ISO (250) | 52 kg(114.63 磅) | | |