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MDpicts 微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀返回列表頁(yè)

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品牌Freiberg Instruments

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所在地上海市

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更新時(shí)間：2024-10-28 11:53:10瀏覽次數(shù)：81次

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德國(guó)弗萊貝格--MDpicts 微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀

產(chǎn)品特點(diǎn)
微波探測(cè)的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測(cè)，非接觸且無(wú)損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測(cè)量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級(jí)的電性能表征。
詳細(xì)介紹
產(chǎn)品介紹：
微波探測(cè)的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測(cè)，非接觸且無(wú)損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測(cè)量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級(jí)的電性能表征。MDpicts將在半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究與開(kāi)發(fā)領(lǐng)域取得普遍的應(yīng)用。

設(shè)備特點(diǎn)：
靈敏度：對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有很高的靈敏度
溫度范圍：液氮（77k）至500k。可選：液氦（4k）或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測(cè)：電學(xué)陷阱基本性能確定：激發(fā)性能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復(fù)性：> 99.5%，測(cè)量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長(zhǎng)激發(fā)光源
可訪問(wèn)性：基于IP的系統(tǒng)允許來(lái)自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持

圖1.與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

圖2.不同缺陷的評(píng)價(jià)

從Arrhenius斜率（圖3）可以確定活化能
圖3.阿倫尼烏斯曲線圖

利用這種新型MDPpicts設(shè)備，可在20~500k范圍內(nèi)測(cè)量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導(dǎo)。
Si， GaAs， InP， SiC和其他很多半導(dǎo)體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。

圖4.不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜