PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點；

PECVD小型滑動開啟式管式爐系統(tǒng)通過滑動爐體來實現快速的升降溫，配置不同的真空系統(tǒng)來達到理想的真空度；同時通過多路高精度質量流量計控制不同氣體。是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇。

主要用途：

高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

技術參數：

爐體結構

雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng)，有效保證外殼表面溫；

爐子底部裝有一對滑軌，移動平穩(wěn)

爐子可以手動從一端滑向另一端，實現快速的加熱和冷卻

爐蓋可開啟，可以實時觀察加熱的物料

電源

電壓：AC220V 50/60Hz；功率：4KW

爐管

高純石英管，高溫下化學穩(wěn)定性強，耐腐蝕，熱膨脹系數極小

尺寸：Φ60*1250mm

法蘭及支撐

SUS304不銹鋼快速法蘭，通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空

一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷

可調節(jié)的法蘭支撐，平衡爐管的受力支撐

包含進氣、出氣、真空抽口針閥，KF密封圈及卡箍組合

加熱系統(tǒng)

加熱元件采用優(yōu)質合金絲0Cr27Al7Mo2，表面負荷高、經久耐用

加熱區(qū)長度：270mm

恒溫區(qū)長度：100mm

工作溫度：≤1150℃

zui高溫度：1200℃

升溫速率：10℃/min

溫控系統(tǒng)

溫度控制采用人工智能調節(jié)技術，具有PID調節(jié)、自整定功能

30段升降溫程序

測溫元件：N型熱電偶

恒溫精度：±1℃

混氣系統(tǒng)

四路質量流量計：數字顯示、氣體流量自動控制

內置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥

管路采用不銹鋼管，接口為Φ6卡套

每路氣體進氣管路配有不銹鋼針閥

通過控制面板上的旋鈕來調節(jié)氣體流量

流量規(guī)格：0~200sccm

流量精度：±1.5%

高真空真空系統(tǒng)

采用雙級旋片真空泵+分子泵，極限真空可達4.0*10^-4Pa

復合真空計，配置電阻規(guī)+電離規(guī)

抽速：110L/S

冷卻：風冷

電源:AC220V 50/60Hz

射頻電源系統(tǒng)

輸出功率:0-300W

功率穩(wěn)定度：±0.1%

射頻電源頻率:13.56MHz 穩(wěn)定性±0.005%

zui大反向功率:120W     

射頻電源電子輸出端口:UHF

冷卻:風冷

電源:AC187-253V 50/60Hz

可選配件

混氣系統(tǒng),中、高真空系統(tǒng)，各種剛玉、石英坩堝，石英管，計算機控制軟件，無紙記錄儀，氧含量分析儀。