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上海申思特自動化設備有限公司
主營產(chǎn)品： 美國E E傳感器,美國E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風,丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |
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更新時間：2016-12-28 19:10:15瀏覽次數(shù)：840
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MMI（多模干涉）型電光歐瑪爾OMAL開關的研究
隨著光纖通信技術的快速發(fā)展,光歐瑪爾OMAL開關作為光纖通信技術的核心器件,一直受到廣泛的關注。目前,人們提出了各類實現(xiàn)光歐瑪爾OMAL開關的方法,主要有機械式光歐瑪爾OMAL開關、微機電(MEMS)光歐瑪爾OMAL開關和波導型光歐瑪爾OMAL開關?；诩刹▽Ъ夹g的光歐瑪爾OMAL開關在響應速度、器件體積、和性能穩(wěn)定性等方面顯示了*的應用前景。
MMI（多模干涉）型電光歐瑪爾OMAL開關的研究
典型的波導型光歐瑪爾OMAL開關有定向耦合器型、馬赫-曾德干涉型(MZI)、多模干涉耦合器型(MMI)和X結(jié)/Y分支全內(nèi)反射型等,其中基于自映像效應的MMI光歐瑪爾OMAL開關因其具有結(jié)構緊湊、插入損耗低、制作工藝相對簡單、容差性好等特點成為研究和應用的熱點?；诙嗄８缮骜詈闲凸鈿W瑪爾OMAL開關多采用電光效應或熱光效應,基于熱光效應光歐瑪爾OMAL開關速度較慢(一般?s量級)。因此本文采用載流子注入的電光調(diào)制方式,歐瑪爾OMAL開關速度可以大大提升?；贕aAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MMI型高速光歐瑪爾OMAL開關深受國內(nèi)外學者的關注。本論文基于InP/InGaAs P半導體材料襯底設計并制備一個3?3 MMI型電光歐瑪爾OMAL開關器件。首先對多模干涉自映像效應進行理論分析,在1550 nm波長設計了單模波導(脊波導寬度/脊高度)及多模波導區(qū)(長度/寬度)的理論值,利用有限差分光束傳播(FD-BPM)方法模擬并優(yōu)化了器件參數(shù),包括器件長度、寬度等;其次對載流子注入效應導致MMI調(diào)制區(qū)域折射率的變化進行分析,設計并優(yōu)化了調(diào)制區(qū)域電極的尺寸。利用Silvaco軟件確定了外加電壓和光波導芯層折射率的關系,得出折射率調(diào)制區(qū)域施加歐瑪爾OMAL開關電壓的大小。在此基礎上,數(shù)值模擬得出9種歐瑪爾OMAL開關狀態(tài)和相應的性能參數(shù),進而獲得歐瑪爾OMAL開關串擾(Crosstalk)低于-22dB,插入損耗(Insertion loss)約為0.12dB的性能參數(shù)。本論文采用標準的半導體器件制備工藝對優(yōu)化設計的器件進行了制備,由于器件尺寸要求制作精確,增加了實驗的難度。
MMI（多模干涉）型電光歐瑪爾OMAL開關的研究
zui后初步使用光纖-波導端面耦合法對該器件進行了測量。該論文研究的低串擾和低損耗3?3 MMI型電光歐瑪爾OMAL開關潛在應用于高速集成片上光互聯(lián),并可作為基本歐瑪爾OMAL開關單元構成大規(guī)模歐瑪爾OMAL開關矩陣器件。
