德國博恩斯坦BERNSTEIN磁阻傳感器
磁阻傳感器與霍爾效應(yīng)傳感器相比，靈敏度高10倍。它們不但尺寸小，還可以檢測特別低的場強(qiáng)。它們在高溫下也能達(dá)到高測量精度，此外，還具有可靠性高、占用空間小的特點。由于它們的設(shè)計是與極性無關(guān)的，不需要在極點方向安裝反磁鐵。博恩斯坦磁阻傳感器完成相應(yīng)封裝之后，可以在惡劣環(huán)境下有效工作，如施工升降機(jī)或農(nóng)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域。越復(fù)雜和緊湊的測量和控制配置，就要求零部件的體積越小。根據(jù)這一發(fā)展趨勢，博恩斯坦將其位置、角度和速度各系列工業(yè)傳感器的開發(fā)分成了兩個方向：與先前zui小型號（RD=6m m）相比，微型磁阻傳感器系列的直徑進(jìn)一步縮小了30%，但即使RD=4mm或5×5mm的zui小號微型傳感器，也具有大號傳感器同樣的參數(shù)性質(zhì)。在開發(fā)的第二階段，電子式磁開關(guān)的基本和標(biāo)準(zhǔn)系列已經(jīng)擴(kuò)展到具備鎖定功能（雙穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性），它只將磁場用于相應(yīng)的開關(guān)操作。因此，在當(dāng)前模塊化系列中,該功能已經(jīng)被加載到廣泛的外殼型號中。

鐵芯和銜鐵由導(dǎo)磁材料如硅鋼片或坡莫合金制成，在鐵芯和銜鐵之間有氣隙，傳感器的運(yùn)動部分與銜鐵相連。當(dāng)被測量變化時，使銜鐵產(chǎn)生位移，引起磁路中磁阻變化，從而導(dǎo)致電感線圈的電感量變化，因此只要能測出這種電感量的變化，就能確定銜鐵位移量的大小和方向。變磁阻式傳感器可以用于測量位移和尺寸，也可以測量能夠轉(zhuǎn)換為位移量的其他參數(shù)力、張力、壓力、壓差、應(yīng)變、轉(zhuǎn)短、速度和加速度等。利用被測量的變化引起線圈自感或互感系數(shù)的變化，從而導(dǎo)致線圈電感量改變這一物理現(xiàn)象來實現(xiàn)測量。結(jié)構(gòu)簡單：工作中沒有活動電接觸點，因而比電位器工作可靠，壽命長。靈敏度高分辨率大：能測出0.01um甚至更小的機(jī)械位移變化，能感受小到0.1的微小角度變化，傳感器的輸出信號強(qiáng)，電壓靈敏度一般每一毫米可達(dá)數(shù)百毫伏，因此有利于信號的傳輸與放大。重復(fù)性好線信度優(yōu)良：在一定位移范圍內(nèi)，輸出特性的線性度好，并且比較穩(wěn)定，高精度的變磁組式傳感器，非線性誤差僅0.1%。缺點：存在交流零位信號，不易于高頻動態(tài)測量。德國博恩斯坦BERNSTEIN磁阻傳感器

將位移、轉(zhuǎn)速、加速度等非電物理量轉(zhuǎn)換為磁阻變化的傳感器。它包括電感式傳感器、變壓器式傳感器和電渦流式傳感器。變磁阻式轉(zhuǎn)速傳感器 它屬于變磁阻式傳感器。變磁阻式傳感器的三種基本類型，電感式傳感器、變壓器式傳感器和電渦流式傳感器都可制成轉(zhuǎn)速傳感器。電感式轉(zhuǎn)速傳感器應(yīng)用較廣，它利用磁通變化而產(chǎn)生感應(yīng)電勢，其電勢大小取決于磁通變化的速率。這類傳感器按結(jié)構(gòu)不同又分為開磁路式和閉磁路式兩種。開磁路式轉(zhuǎn)速傳感器結(jié)構(gòu)比較簡單，輸出信號較小，不宜在振動劇烈的場合使用。閉磁路式轉(zhuǎn)速傳感器由裝在轉(zhuǎn)軸上的外齒輪、內(nèi)齒輪、線圈和*磁鐵構(gòu)成。內(nèi)、外齒輪有相同的齒數(shù)。當(dāng)轉(zhuǎn)軸連接到被測軸上一起轉(zhuǎn)動時，由于內(nèi)、外齒輪的相對運(yùn)動，產(chǎn)生磁阻變化，在線圈中產(chǎn)生交流感應(yīng)電勢。測出電勢的大小便可測出相應(yīng)轉(zhuǎn)速值。

磁阻效應(yīng)傳感器是根據(jù)磁性材料的磁阻效應(yīng)制成的。磁性材料(如坡莫合金)具有各向異性，對它進(jìn)行磁化時，其磁化方向?qū)⑷Q于材料的易磁化軸、材料的形狀和磁化磁場的方向。當(dāng)給帶狀坡莫合金材料通電流I時，材料的電阻取決于電流的方向與磁化方向的夾角。如果給材料施加一個磁場B(被測磁場)，就會使原來的磁化方向轉(zhuǎn)動。如果磁化方向轉(zhuǎn)向垂直于電流的方向，則材料的電阻將減小;如果磁化方向轉(zhuǎn)向平行于電流的方向，則材料的電阻將增大。磁阻效應(yīng)傳感器一般有四個這樣的電阻組成，并將它們接成電橋。在被測磁場B作用下，電橋中位于相對位置的兩個電阻阻值增大，另外兩個電阻的阻值減小。在其線性范圍內(nèi)，電橋的輸出電壓與被測磁場成正比。磁阻傳感器已經(jīng)能制作在硅片上，并形成產(chǎn)品。其靈敏度和線性度已經(jīng)能滿足磁羅盤的要求，各方面的性能明顯優(yōu)于霍爾器件。遲滯誤差和零點溫度漂移還可采用對傳感器進(jìn)行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。

SI1011    SID10ADBFNKG/US-100-INF
SI1100    SID10ADTFPKG/US-100-IPF
SI1101    SID10ADTFNKG/US-100-INF
SI1104    SID10ADT100G/US-100-IAZ
SI1106    SID10ADTFKOW/LS-100-IRF
SI2000    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SI2100    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SI2200    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SR2301   VS2000/ 24VDC/EXI/1G
SR0127   VS0200/ 24VDC
SR0150   VS3000/24VDC
SR0151   VS3000/24VDC
SR3001   VS0300/24VDC