CVD-銅基硅基單層/少層/多層氮化硼B(yǎng)N薄膜

西安齊岳生物供應(yīng)一系列的納米材料，供應(yīng)

CVD-少層氮化硼B(yǎng)N薄膜
硅基單層氮化硼B(yǎng)N薄膜
CVD-多層氮化硼B(yǎng)N薄膜
CVD銅基多層氮化硼薄膜

CVD-銅基硅基單層/少層/多層氮化硼B(yǎng)N薄膜

在50um厚銅箔上生長(zhǎng)了多層氮化硼薄膜。h-B N是一種直接能隙為6ev的體，B-N原子間具有強(qiáng)的離子鍵。我們采用h-BN化學(xué)氣相沉積工藝，使缺陷密度保持在較低水平（~1E10-1e11cm-2），并增加單疇尺寸以降低1D晶粒缺陷濃度。多層h-BN板尺寸約為5cm x 5cm或約2x2英寸。

h-BN的性質(zhì)

在50um厚銅箔上生長(zhǎng)了多層氮化硼薄膜。h-B N是一種直接能隙為6ev的體，B-N原子間具有強(qiáng)的離子鍵。我們采用h-BN化學(xué)氣相沉積工藝，使缺陷密度保持在較低水平（~1E10-1e11cm-2），并增加單疇尺寸以降低1D晶粒缺陷濃度。多層h-BN板尺寸約為5cm x 5cm或約2x2英寸。

相關(guān)產(chǎn)品：

 二維材料（MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)
單層二硫化錸（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選
單層二硫化鎢（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選
三角形單層二硒化鎢（10*10mm）-襯底可選
基于石英基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于柔性PET基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于藍(lán)寶石基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于二氧化硅基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于柔性PET基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
基于藍(lán)寶石基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
基于二氧化硅基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
Monolayer WSe2 Triangles on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的三角形單層二硫化鎢
Monolayer WS2 Triangles on c-cut Sapphire
基于二氧化硅襯底的三角形單層二硫化鉬
Monolayer MoS2 Triangles on SiO2/Si substrates
基于藍(lán)寶石襯底的三角形單層二硫化鉬
Monolayer MoS2 Triangles on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的少層二硒化鉑
Full Area Coverage PtSe2 layers on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的少層二硒化鉑
Full Area Cove
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硒化鎢
Full Area Cove
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化鎢
Full Area Coverage Monolayer WS2 on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硒化錫
Full Area Coverage Monolayer SnSe2 on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化錫
Full Area Coverage Monolayer SnS2 on c-cut Sapphire

指南：
1.提供的產(chǎn)品的單價(jià),產(chǎn)品規(guī)格,型號(hào),價(jià)格條款,原產(chǎn)地
2.提供樣品,小訂貨量,交貨期,包裝方式,質(zhì)量/；
3.提供使用說(shuō)明書(shū)、核磁圖譜、合成路線；制備方案、合成步驟等信息請(qǐng)咨詢(xún)客服。

溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）