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電光調(diào)制器，自由空間型

特性

• 高性能，緊湊封裝

• 寬帶DC耦合或高Q共振

• 2 mm直徑通光孔徑

• 摻氧化鎂的鈮酸鋰晶體

• SMA RF調(diào)制輸入接頭

• DC到100 MHz

• 提供定制OEM版本

DC耦合寬帶調(diào)制器

我們的寬帶電光調(diào)制器由一個封裝在外殼內(nèi)的電光晶體構(gòu)成，并經(jīng)過優(yōu)化達到J較好的射頻性能。射頻驅(qū)動信號通過SMA RF接頭直接連接電光晶體。由外部射頻驅(qū)動器提供調(diào)制要求的驅(qū)動電壓。電光晶體的調(diào)制范圍可以從直流到外部射頻驅(qū)動器的頻率極限。關(guān)于放大器要求的相關(guān)信息，請看規(guī)格標(biāo)簽。這些寬帶振幅和相位調(diào)制器可選-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜。

高Q共振調(diào)制器

共振電光調(diào)制器以固定頻率工作，Thorlabs的設(shè)計中包含高Q共振電路。相比寬帶電光調(diào)制器，共振電光調(diào)制器顯著降低了工作電壓。我們共振調(diào)制器可選振幅和相位調(diào)制版本，以20 MHz工作，鍍有-C1增透膜(600 – 900 nm)。關(guān)于鍍膜反射率的詳細信息，請看曲線標(biāo)簽。我們提供標(biāo)準(zhǔn)和定制鍍膜選項，用戶還可選從0.1到100 MHz的共振頻率。

電光調(diào)制器，自由空間型

電光振幅調(diào)制器

電光振幅調(diào)制器(EO-AM)是一種普克爾盒型調(diào)制器，由封裝在緊湊外殼中的兩個匹配鈮酸鋰晶體(請看右圖)組成，外殼帶射頻輸入接頭。對晶體施加電場將改變折射率(尋常光和非尋常光)，產(chǎn)生電場相關(guān)的雙折射效應(yīng)，以此改變光束的偏振態(tài)。電光晶體相當(dāng)于一個可變波片，其延遲量與施加電場成線性關(guān)系。在輸出端放置一個線偏振片，通過偏振片的光束強度將隨施加電壓的線性變化而發(fā)生正弦變化。

請注意，工作在-C4波段(400 - 600 nm)的AM調(diào)制器僅用于幾赫茲以上的AC調(diào)制。摻氧化鎂的鈮酸鋰對這個波長范圍的光敏感，對施加的DC電場顯示出緩慢的負壓。光越強，DC場消除得越快。因此，實際上，DC電壓不能用于在要求的工作點給調(diào)制器施加偏壓。但是，可以使用可調(diào)波片在需要的工作點給調(diào)制器施加光學(xué)偏置(關(guān)于調(diào)制器偏置的詳細信息，請看實驗觀測標(biāo)簽)。

電光相位調(diào)制器

我們的電光相位調(diào)制器能夠?qū)€偏振入射光提供可調(diào)相位差。入射光沿豎直方向線偏振，即晶體的Z軸方向。通過RF輸入端在Z軸電極上施加電壓，使晶體的非尋常光折射率發(fā)生變化，以此使光信號產(chǎn)生相位差。

控制信號可以是DC或隨時間變化的RF信號。當(dāng)控制電壓信號隨時間變化，光束將受到頻率調(diào)制，部分基頻能量將轉(zhuǎn)到邊帶中，邊帶與基頻間隔是調(diào)制頻率的整數(shù)倍。轉(zhuǎn)到邊帶的能量大小由調(diào)制深度決定。右圖展示了邊帶的相對強度和調(diào)制深度的關(guān)系。

共振電光調(diào)制器

我們共振電光調(diào)制器具有高Q值，可用標(biāo)準(zhǔn)的實驗室函數(shù)發(fā)生器驅(qū)動。調(diào)制器中的高Q值共振儲能電路可以將標(biāo)準(zhǔn)函數(shù)發(fā)生器的低水平RF輸入電壓轉(zhuǎn)成取得全調(diào)制深度要求的高電壓。這樣使得半波驅(qū)動電壓在633 nm處只有15 V。

共振調(diào)制器可選相位和振幅調(diào)制版本，工作頻率20 MHz，帶寬1 MHz。它們具有用于600到900 nm的C1膜。我們也可以提供定制服務(wù)，用戶可選從0.1到100 MHz的共振頻率和各種增透膜。