離子注入設備

SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC

 搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤）的面向SiC量產用的高能粒子注入裝置。

產品特性 / Product characteristics

• 可實現(xiàn)自動連續(xù)高溫處理注入

• 1價離子可注入至350keV、2價離子可注入至700keV

       （Option：1價離子可注入至430keV、2價離子可注入至860keV）

• 通過Dual-End-Station（雙工位）實現(xiàn)高產能；

       （A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等，可配合客戶的希望就行規(guī)格配置）

• 可減輕操作員的負擔

•      緊湊式設計

• 可大范圍對應從試作到量產的各類需求

產品應用 / Product application

•  對應SiC的離子注入裝置。

研究開發(fā)用中電流離子注入設備IMX-3500

中電流離子注入裝置IMX-3500為大能量200keV、對應大晶圓尺寸8inch的離子注入裝置，適用于大學等機構的研究開發(fā)。

產品特性 / Product characteristics

•       大晶圓尺寸8inch，搭載了可對應不定形基板的臺板。

• 離子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易處理的B、P、As離子等固體蒸發(fā)源。

• HV terminal的部分，與量產裝置是同樣的構成，可確保高信賴性。

產品應用 / Product application

 •      教育、研究開發(fā)等

高能對應離子注入設備SOPHI-400

大可對應至2400KeV的高能離子注入裝置。

產品特性 / Product characteristics

• 枚葉式

• 可對應薄片Wafer

• 平行Beam

產品應用 / Product application

 •       功率器件相關薄片基板工藝、IGBT工藝

可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30

低加速、高濃度對應的離子注入設備。

產品特性 / Product characteristics

• 枚葉式

• 可對應薄片

• 非質量分離機的對比優(yōu)點

         1)對應低加速.高濃度的好產能離子注入設備

         2)相比過去約一半的低價

         3)相比過往設備占用面積為1/3的緊湊型設計

產品應用 / Product application

• Power Device等薄片基板工藝、IGBT工藝

產品參數 / Product parameters

 • 基板尺寸：Max200mm