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鈦硅分子篩(小孔) TS-1BET比表面積(平方米/克):360-420孔徑(nm):0.56-0.58比較結(jié)晶度(%):>95Na2O含量(wt%):<0.1...
硅/二氧化硅晶片(5片)Wafers - Silicon/Silicon Dioxide Wafer常用石墨烯基底硅/二氧化硅(90納米)晶片(4英寸直徑,N型...
石墨納米顆粒 Graphite Nanoparticles制備方法:球磨法外觀:黑色灰分含量:0.5%水含量:0.2%形態(tài):片狀A(yù)PS:D1001000nm D...
氟化石墨 Graphite Fluoride (Carbon Monofluoride)CAS號(hào):51311-17-2wt% F:56-61顏色:灰色/白色密度...
有序介孔碳-cmk-3 Ordered mesoporous carbon cmk-3類型:bet1000比表面積(平方米/克):1000孔徑(納米):5.57...
有序介孔碳-cmk-8 Ordered Mesoporous Carbon - cmk-8制備方法:模板法空間群:la3d比表面積(平方米/克):720孔徑(納...
多孔碳 Porous Carbon密度(g/cm3):~ 0.3粒徑(µm)(D50):5或8灰分含量(%):≤0.5%pH值:6.5-7.5表面積(...
無(wú)序介孔碳 Disordered Mesoporous制備方法:硬模板法合成比表面積(平方米/克):600平均孔徑(納米):50納米顆粒尺寸:1微米可逆容量(第...
氮摻雜有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制備方法:硬模板氮摻雜的介孔碳 CMK-3平均尺寸:1 um碳/氮(原子):4.3空間群:二...
羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm羧基比例:5%純度:99%
單層氧化石墨烯乙醇溶液 Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制備方法:改良的H法濃度為5mg/mL 10...
單層氧化石墨烯水溶液 Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新產(chǎn)品:gno1w001制備方法:改良的H法濃度:...
氧化石墨烯(進(jìn)口) Graphite Oxide用H法制備,水溶性好直徑:0.5~5um厚度:1~3nm
單層石墨烯(進(jìn)口) Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法:熱剝離還原與氫化還原BET比表面積(平方米/克):400~1000電阻率...
單層石墨烯(石墨烯家族)Single Layer Graphene (Graphene Factory)BET比表面積(平方米/克):650 ~ 750電導(dǎo)率(...
石墨烯納米薄片(2~10nm) Graphene Nanoplatelets體積特性外觀:黑色和灰色粉末碳含量:>99.5%體積密度:0.10克/毫升水含量:0...
高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法:改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑:1 ~ 5um厚度:0.8~1...
氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積(平方米/克):500 ~ 700電導(dǎo)率(S/m) 1000(其特征...
工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法:熱剝離還原厚度(nm):≤3BET比表面積(平方米/克):~ 600電阻率(Ω?c...
羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm羧基比例:5%純度:99%
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