博恩斯坦Bernstein感應傳感器中的電阻應變片具有金屬的應變效應，即在外力作用下產(chǎn)生機械形變，從而使電阻值隨之發(fā)生相應的變化。電阻應變片主要有金屬和半導體兩類，金屬應變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導體應變片具有靈敏度高（通常是絲式、箔式的幾十倍）、橫向效應小等優(yōu)點。
壓阻式
壓阻式傳感器是根據(jù)半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經(jīng)擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會產(chǎn)生相應的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤其是以測量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應用zui為普遍。
熱電阻
博恩斯坦Bernstein熱電阻測溫是基于金屬導體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進行溫度測量的。
傳感器
傳感器熱電阻大都由純金屬材料制成，目前應用zui多的是鉑和銅，此外，已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。
熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測量溫度及與溫度有關的參數(shù)。在溫度檢測精度要求比較高的場合，這種傳感器比較適用。較為廣泛的熱電阻材料為鉑、銅、鎳等，它們具有電阻溫度系數(shù)大、線性好、性能穩(wěn)定、使用溫度范圍寬、加工容易等特點。用于測量-200℃～+500℃范圍內(nèi)的溫度。
博恩斯坦Bernstein感應傳感器型號

601.2921.090 D-32457 SRM-UIZ/UIZ-LU-175-E行程開關
601.2431.883 BCS 16A/500VAC感應傳感器
6316318002 MAM-1813-L-1 Operating voltage: 125DVC接近開關
博恩斯坦Bernstein601.1411.856 SD-U1感應傳感器
ENM-SUIZ AHS-V 10A/500VAC集線控制器
F1-SU2Z UN腳踏開關BERNSTEIN傳感器6011411856
KIB-M18PS/005-KL6V光電開關
6013812075; SI-U1Z繼電器
SLM-FVTW24DC-51-AR限位開關
NR 6087387019自動控制器
6012441907開關
KCN-T18PS/012-KLPS12V接近開關
F1-U1Z NA2 UN 6061600435接近開關
F1-SU1Z/UV1ZD UN 6161000203接近開關
F2-SU1Z/SU1Z UN 6062830022接近開關
6063611026 F3-U1Z/U1Z/U1Z UN接近開關
631.0432.598接近開關
F1-U2ZD 6061200007接近開關
F1-SU1 MI RG 10K2W 6161300327接近開關
F1-SU1Z UN 6061800012接近開關
BERNSTEIN傳感器6011411856
2696899015感應傳感器
2690000006感應傳感器
2600444076感應傳感器
SKT-U1Z M3 SKT-SU1Z M3 SKT-A2Z M3 SKT-SA2Z M3
SKI-U1Z M3 SKI-SU1Z M3 SKI-A2Z M3 SKI-UV15Z M3
ENK-U1Z VTU ENK-A2Z VTU ENK-UV15Z VTU