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北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司>>改性塑料試驗(yàn)設(shè)備>>電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)>> Huace-DCS10KV華測(cè) 介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)

華測(cè) 介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)

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參考價(jià) 120000
訂貨量 1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) Huace-DCS10KV
  • 品牌 HC/華測(cè)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
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更新時(shí)間:2024/11/22 09:11:21瀏覽次數(shù):1370

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華測(cè) 介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能。采用特殊高壓開(kāi)關(guān),通過(guò)單刀雙擲控制充電和放電過(guò)程,開(kāi)關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動(dòng)作時(shí)間短。

詳細(xì)介紹



華測(cè) 介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)

Huace-DCS10KV


華測(cè) 介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹:

Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能。目前常規(guī)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過(guò)電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的能量密度,無(wú)法正確評(píng)估電介質(zhì)材料的正常放電性能。華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量,測(cè)試電路如下圖所示。在該電路中,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過(guò)閉合高速M(fèi)OS高壓開(kāi)關(guān),存儲(chǔ)在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),更符合電介質(zhì)充放電原理。


主要參數(shù):

1、電流探頭帶寬:120MHz;

2、峰值電流:0-100A,150 A(多種電流可監(jiān)測(cè));

3、電流采集精度:1mA;

4、高壓源模塊:3KV5KV, 10kV,15KV多可選(電流:0-5mA);

5、開(kāi)關(guān)適用:100萬(wàn)次,耐壓15kV;

6、溫控范圍:0-200℃;

7、溫度穩(wěn)定性和精度:0.1℃;

8、測(cè)試樣品:薄膜,厚膜,陶瓷,玻璃等;

9、可以配合各種極化設(shè)備進(jìn)行多種壓電材料和介電材料的測(cè)試。


產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1、本系統(tǒng)采用特殊高壓開(kāi)關(guān),通過(guò)單刀雙擲控制充電和放電過(guò)程,開(kāi)關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動(dòng)作時(shí)間短;

2、電壓10kV,電流5mA

3、可外接高壓放大器或高壓直流電源;

4、通過(guò)電流探頭檢測(cè)放電電流,可達(dá)100A

5、可以實(shí)現(xiàn)欠阻尼和過(guò)阻尼兩種測(cè)試模式,欠阻尼測(cè)試時(shí),放電回路短路,不使用電阻負(fù)載,過(guò)阻尼測(cè)試時(shí),使用較大的高精度無(wú)感電阻作為放電負(fù)載;

6、可以作為一個(gè)信號(hào)源,產(chǎn)生任意波形;

7、通過(guò)示波器采集數(shù)據(jù),并能直接計(jì)算儲(chǔ)能密度;

8、定制載樣平臺(tái),可適用于陶瓷和薄膜樣品測(cè)試;

9、可以進(jìn)行變溫測(cè)試,RT~200℃;

10、可以進(jìn)行疲勞測(cè)試;

11、還可用于極化材料之用。


儲(chǔ)能電介電放電行為:

華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量。在該電路中,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過(guò)閉合高速MOS高壓開(kāi)關(guān),存儲(chǔ)在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載。在放電過(guò)程中電壓對(duì)樣品的時(shí)間依賴性可以通過(guò)檢波器進(jìn)行記錄。介電材料的儲(chǔ)能性能通常取決于放電速度,可通過(guò)改變負(fù)載電阻器的電阻來(lái)調(diào)節(jié)。通常測(cè)試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器。在測(cè)試過(guò)程中,用戶需要選擇電阻器或幾個(gè)電阻器的組合獲得得所需的電阻,并將電阻器或電阻的組合連接到測(cè)試的電介質(zhì)材料。在該電路中,選擇高壓MOSFET開(kāi)關(guān)以釋放儲(chǔ)存的能量非常重要。該開(kāi)關(guān)限制電路的最大放電速度和最大充電電壓。本套測(cè)試系統(tǒng)由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計(jì)算機(jī)構(gòu)成。在測(cè)試中,測(cè)試人員需要通過(guò)選擇合適的電阻來(lái)確定測(cè)量的放電速度,測(cè)試樣品上的電壓可以由計(jì)算機(jī)自動(dòng)獲得。











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