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MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300

華科智源專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，提供ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，大功率IGBT到小功率管MOS的測(cè)試， 包括動(dòng)態(tài)參數(shù)和靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，雪崩能量測(cè)試以及熱阻測(cè)試， 索取相關(guān)資料和報(bào)價(jià)請(qǐng)聯(lián)系陳先生 

ITC57300是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，可以滿(mǎn)足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試要求，且具有波形實(shí)時(shí)顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備。
ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開(kāi)關(guān)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。
ITC57300能力

測(cè)試電壓：1200 VDC 200（短路電流可達(dá)1000A）

定時(shí)測(cè)量：低為1 ns

漏電流限制監(jiān)視器

-  MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
-  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
-  Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
-  MOSFET柵電荷Qg測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
-  IGBT感性開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
-  IGBT短路耐量測(cè)試，Max ISC=1000A
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)： 
- MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀選項(xiàng)

額外的電源供應(yīng)器

額外的測(cè)試頭

大包裝適配器

ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試頭

ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開(kāi)關(guān)時(shí)間

ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473

ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471

ITC57240 - 電感式開(kāi)關(guān)時(shí)間為IGBT，MIL-STD 750方法3477

ITC57250 - （ISC）短路耐受時(shí)間，MIL-STD-750方法3479

ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)特點(diǎn)

MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300

很容易改變的測(cè)試頭

在不同參數(shù)的自動(dòng)化測(cè)試

堅(jiān)固耐用的PC兼容計(jì)算機(jī)

用戶(hù)友好的菜單驅(qū)動(dòng)軟件

可編程測(cè)試出紙槽

電子表格兼容的測(cè)試數(shù)據(jù)

可選內(nèi)部電感負(fù)載

GPIB可編程測(cè)試設(shè)備

四通道高帶寬數(shù)字示波器

脈沖發(fā)生器

1200V電源

ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀安全特性

測(cè)試頭高電壓互鎖

接收端的高電壓互鎖

高速漏極供電開(kāi)關(guān)

ITC57210 開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試頭

此測(cè)試頭以美軍標(biāo) MIL-STD-750, Method 3472，驗(yàn)證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開(kāi)關(guān)時(shí)間。所測(cè)量的參數(shù)包括 ：Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

ITC57220 Trr/Qrr測(cè)試頭

ITC57220測(cè)試頭以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3473，進(jìn)行反向恢復(fù)Trr/Qrr測(cè)試。 

首先，驅(qū)動(dòng)電路中的電感電流上升，電流升到所設(shè)定的值時(shí)，電源會(huì)被切開(kāi)。電感內(nèi)的的電流會(huì)通過(guò)被測(cè)器件中的二極管排放。經(jīng)過(guò)一段短時(shí)間后，驅(qū)動(dòng)器再次啟動(dòng)，致使器件中的二極管經(jīng)歷反向恢復(fù)動(dòng)作。由此所捕捉到的波形經(jīng)過(guò)分析后便能取得反向恢復(fù)時(shí)間，電流和累積電荷等數(shù)據(jù)。

ITC57230 柵電荷測(cè)試頭

ITC57230對(duì)功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3471進(jìn)行考驗(yàn)。 

先給MOSFET管的柵極加電壓，在柵極打開(kāi)時(shí)，把一個(gè)恒電流，高阻抗的負(fù)載接到MOSFTE管的漏極。

當(dāng)漏極電流攀爬到用戶(hù)設(shè)定的數(shù)值時(shí)，被測(cè)器件的柵電荷可通過(guò)向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放電（或P溝道器件，向源極導(dǎo)通）。通過(guò)監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計(jì)算出電荷量。

ITC57240 感性負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試頭

ITC57240測(cè)試頭以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3477的定義，實(shí)行感性負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試。

IGBT驅(qū)動(dòng)器會(huì)在電感圈內(nèi)產(chǎn)生測(cè)試電流。當(dāng)斷開(kāi)時(shí)，電流會(huì)通過(guò)寄生(齊納)二極管。在這瞬間，打開(kāi)和關(guān)閉DUT器件開(kāi)始對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)能量進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)它開(kāi)關(guān)時(shí)，DUT器件能觀(guān)察到流入電感圈里的測(cè)試電流和橫跨齊納二極管的電壓，而不受續(xù)流二極管所產(chǎn)生的任何反向恢復(fù)因素所影響。

ITC57250 短路耐量測(cè)試頭

ITC57250以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3479的定義，實(shí)行短路耐抗時(shí)間測(cè)試。

在某些電路，如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時(shí)間的短路狀況。此測(cè)試就是用于驗(yàn)證器件在短路情況下所能承受的耐抗時(shí)間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動(dòng)脈寬。

ITC57260 結(jié)電容/柵極等效電阻測(cè)試頭 Rg, Ciss, Coss & Crss

此測(cè)試頭應(yīng)用頻率掃描和固定電感圈，找出所形成的RLC電路的共振點(diǎn)然后進(jìn)行對(duì)功率器件MOSFET的柵極電阻測(cè)量。它同時(shí)也測(cè)量器件的輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss).