MAA/PEG/BSA修飾ZnO量子點(diǎn)
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MAA/PEG/BSA修飾ZnO量子點(diǎn)
ZnO 作為II-VI族半導(dǎo)體材料,具有電子親和勢(shì)和遷移率、激子束縛能大等特點(diǎn),在熱、光、電和磁等方面表現(xiàn)出的性能,并被應(yīng)用于能源、光電子和化工等諸多領(lǐng)域。ZnO量子點(diǎn)較的比表面積和比表面能所引起的團(tuán)聚現(xiàn)象,程度上限制了量子點(diǎn)的性質(zhì),所以采用表面修飾的方法來(lái)改變ZnO 量子點(diǎn)的團(tuán)聚現(xiàn)象及其尺寸穩(wěn)定性。
制備方法:采用溶膠-凝膠工藝方法制備ZnO量子點(diǎn)。先,向濃度為0. 1mol/L的Zn(Ac)2·2H2O甲醇溶液(125 mL)中逐滴加入濃度為0. 4 mol/L的KOH甲醇溶液(65mL),升溫至60℃后持續(xù)反應(yīng)并攪拌3. 5h,得到渾濁液體。隨后經(jīng)靜置、離心、洗滌等重復(fù)操作,得到純凈的ZnO量子點(diǎn)。分別將獲得的ZnO量子點(diǎn)一部分溶于氯仿/甲醇(9:1)混合溶劑中制成濃度為50mg/mL的ZnO量子點(diǎn)溶膠,另一部分干燥成純白色ZnO粉末用于后續(xù)樣品測(cè)試。為了獲得表面修飾的ZnO量子點(diǎn),制備過(guò)程中將不同添加量的PEG加入到Zn(Ac)2-2H2O甲醇溶液中,在60℃下攪拌1h,之后步驟與上述方法相同。
結(jié)論:PEG能夠涂覆在ZnO量子點(diǎn)表面對(duì)其修飾,且不影響ZnO本身的晶體成分和結(jié)構(gòu)。PEG修飾后的ZnO量子點(diǎn)在400~500nm波長(zhǎng)區(qū)域的缺陷態(tài)發(fā)射度減小,且修飾后的ZnO量子點(diǎn)團(tuán)聚現(xiàn)象得到,分散加均勻,粒徑尺寸小。PEG修飾后的ZnO量子點(diǎn)紫外-可見吸收閾值變化較小,光學(xué)穩(wěn)定性提。
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