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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工 |
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掃描電子顯微鏡SEM
蔡司GeminiSEM系列高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡
具有出色的探測效率,能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時都具備更佳的靈活性,為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像,提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。
運(yùn)用GeminiSEM系列產(chǎn)品,您可輕松獲取真實(shí)世界中任意樣品出色的圖像和可靠的分析結(jié)果
GeminiSEM 500 具有出色的分辨率,在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息,其創(chuàng)新設(shè)計的NanoVP可變壓力模式,甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺;
GeminiSEM 450 具有出色的易用性設(shè)計、更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度,使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析,充當(dāng)您的得力助手;
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野,可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù),使FESEM初學(xué)者也能快速掌握;
更強(qiáng)的信號,更豐富的細(xì)節(jié)
GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息,尤其在低的加速電壓下,在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。
經(jīng)優(yōu)化和增強(qiáng)的Inlens探測器可高效地采集信號,助您快速地獲取清晰的圖像,并使樣品損傷降至更低;
在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度,二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm,500 V達(dá)1.0 nm,無需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像,為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息;
應(yīng)用樣品臺減速技術(shù)-(Tandem decel),可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率;
創(chuàng)新設(shè)計的可變壓力模式-NanoVP技術(shù),讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。
更高的速度與靈敏度,更好的成像和分析
GeminiSEM 450更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析,簡便、快速地進(jìn)行EDS能譜和EBSD等分析,同時保持出色的空間分辨率,充當(dāng)您的得力助手。
在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像,在低電壓條件下工作時更為優(yōu)異;
可快速地對樣品進(jìn)行大范圍及高質(zhì)量成像;
經(jīng)優(yōu)化的電子光學(xué)鏡筒,減少了工作過程中進(jìn)行重新校準(zhǔn)的復(fù)雜流程,節(jié)省成像時間,提高工作效率;
無論是不導(dǎo)電樣品、磁性樣品或是其他類型的樣品,無論是高真空或是可變壓力模式,均可實(shí)現(xiàn)快速和高質(zhì)量的成像和分析;
更靈活的成像方式
無論是資深用戶還是初學(xué)者,GeminiSEM 300將讓您體驗(yàn)到在更高的分辨率和更佳的襯度下進(jìn)行極大視野范圍成像的樂趣,并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實(shí)現(xiàn)。
得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能,可實(shí)現(xiàn)快速、高質(zhì)量、無畸變的大范圍成像;
創(chuàng)新設(shè)計的高分辨率電子槍模式,為對磁性樣品、不導(dǎo)電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案;
蔡司獨(dú)樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器,在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像;
NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導(dǎo)電樣品進(jìn)行高靈敏度、高分辨成像。
基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 450 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
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熱場發(fā)射電子槍,穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | |||
加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
探針電流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
(100 nA配置可選) | (100 nA或300 nA配置可選) | (100 nA配置可選) | |
存儲分辨率 | 最高達(dá)32k × 24k 像素 | ||
放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
標(biāo)配探測器 | 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器 | ||
樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器 | |||
可選配的 項(xiàng)目 | 鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器 | ||
- | 角度選擇背散射探測器 | 角度選擇背散射探測器 | |
環(huán)形STEM探測器(aSTEM 4) | |||
EDS能譜儀 | |||
EBSD探測器(背散射電子衍射) | |||
NanoVP可變壓力模式 | |||
高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中) | |||
局部電荷中和器 | |||
可訂制特殊功能樣品臺 | |||
環(huán)形背散射電子探測器 | |||
陰極射線熒光探測器 |
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