冰箱系統(tǒng)測(cè)水儀CD/USI-3
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
以干燥載氣將被測(cè)樣件內(nèi)的殘留水載入儀器內(nèi)的電解池進(jìn)行吸收和電解,通過(guò)所消耗的電量積分測(cè)知被測(cè)系統(tǒng)殘留水總量,并以mg為單位顯示。
該儀器適用于測(cè)定電冰箱或空調(diào)蒸發(fā)器、冷凝器及其它封閉系統(tǒng)內(nèi)的殘留水總量,具有準(zhǔn)確、快速、操作方便等優(yōu)點(diǎn),而且用戶(hù)可隨時(shí)很方便地用標(biāo)樣(一定量的蒸餾水)檢定儀器的可靠性。
主要技術(shù)指標(biāo):
測(cè)量范圍:0~100mg (必要時(shí)可擴(kuò)大)
冰箱系統(tǒng)測(cè)水儀CD/USI-3準(zhǔn)確度:不大于±3% (含水量大于1mg時(shí))
或不大于±0.030mg (含水量小于或等于1mg時(shí))
工作條件:電源:交流220±22V, 50~60Hz 直流:10~45V(僅供干燥時(shí)選用)
環(huán)境溫度:5~40℃
載氣(鋼瓶氮?dú)猓汉浚?00μL/L
流量 70±20 mL/min
外型尺寸:360mm(W)×160mm(H)×340mm(D)
輸出信號(hào):0~10mV ,可選配RS232接口及軟件,以保存數(shù)據(jù)和打印報(bào)告。
重 量:約5kg
電測(cè)水位計(jì) 型號(hào):DP68BS
DP68BS系列便攜式電測(cè)水位計(jì)適用于地質(zhì)、礦山、水文等部門(mén)的水文觀測(cè)孔、地質(zhì)鉆孔、水井、水庫(kù)大壩及江河湖海的直接測(cè)量zui后計(jì)算讀數(shù)之差得出zui后結(jié)果,以替代目前常用的測(cè)繩、測(cè)鐘、電線(xiàn)、萬(wàn)用表等原始落后的簡(jiǎn)易測(cè)水方法。
DP68BS系列便攜式電測(cè)水位計(jì)由測(cè)線(xiàn)、探頭、水位檢測(cè)器、卷線(xiàn)輪、支架、導(dǎo)電機(jī)構(gòu)、搖把、皮背包等組成,其主要特點(diǎn)是體積小、重量輕、價(jià)格便宜、攜帶方便。
測(cè)量方法:
技術(shù)特點(diǎn):
① zui大測(cè)量深度:700m
② zui大測(cè)量誤差:≤±0.1%F.S(zui大±0.1
m/100m),達(dá)到ISO規(guī)定的三級(jí)水位計(jì)精度標(biāo)準(zhǔn)。
③ 探頭直徑:14mm,探頭敏感區(qū)域≤±5mm。
④ 重復(fù)測(cè)量精度:≤±10mm。
⑤ 測(cè)線(xiàn)技術(shù)條件:外徑2.0,7/0.25鍍鋅鋼芯,高密度聚乙烯緣,破斷拉≥25 kgf。
⑥ 水位檢測(cè)器靈敏度:外接大地電阻≥500KΩ。
⑦ 水位檢測(cè)器功耗:≤15mA。
⑧ 水位檢測(cè)器電源:6F22、9V疊層電池。
⑨ 使用環(huán)境:-20℃~+40℃,相對(duì)濕度85%。
外形尺寸(mm):330x86x220
探頭:Φ14
雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì) 遙測(cè)水位計(jì) 型號(hào):XD2206-LD
雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)多用于淤積非常嚴(yán)重的引黃灌區(qū)渠道或河道的水位監(jiān)測(cè)。雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)為一體化水位遙測(cè)設(shè)備,安裝在渠道邊上的安裝桿上,由于雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì),利用電磁波作為傳輸介質(zhì),因此測(cè)量精度不受溫度、潮濕、風(fēng)速的影響,是一款高精度、高可靠的水位測(cè)量設(shè)備。
雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)特點(diǎn):
●雷達(dá)遙測(cè)水位計(jì)采用一體化結(jié)構(gòu),用于多淤積渠道或河道的高精度、高穩(wěn)定、高可靠的水位測(cè)量;
●設(shè)備構(gòu)成:將雷達(dá)水位計(jì)、智能電路、GPRS遠(yuǎn)程通訊電路、現(xiàn)地?zé)o線(xiàn)射頻電路、密封殼、太陽(yáng)能電池板及充電控制電路、喇叭口雷達(dá)天線(xiàn)高度集成,一體化設(shè)計(jì);
●正常情況下,水位上報(bào)次數(shù)每天1-24次,可由上位軟件設(shè)定;
●當(dāng)水位變化率過(guò)設(shè)定值時(shí)(即水位跳變),水位值立即上報(bào),水位跳變值由上位軟件設(shè)定;
●水位上限可預(yù)設(shè),水位過(guò)此值, GPRS上報(bào)時(shí)間間隔可以任意由上位軟件設(shè)定;
●用無(wú)線(xiàn)手操器在10米范圍內(nèi),可進(jìn)行水位校準(zhǔn);
●通過(guò)GPRS無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)與遠(yuǎn)程上位計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。
相關(guān)產(chǎn)品:水位監(jiān)測(cè)軟件 XD-2C00
產(chǎn)品名稱(chēng):氣固相流化床催化反應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置 產(chǎn)品型號(hào):TH-CHLHC |
氣固相流化床催化反應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置 型號(hào):TH-CHLHC
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?nbsp;
1、了解流化床反應(yīng)器的工作原理及結(jié)構(gòu)。
2、加氫、脫氫、氧化、烴化、芳構(gòu)化、氨化等有機(jī)催化反應(yīng)。
主要配置:
流化床反應(yīng)器、預(yù)熱器、計(jì)量泵、風(fēng)機(jī)、氣體轉(zhuǎn)子流量計(jì)、濕式氣體流量計(jì)、溫控儀表、壓力儀表、不銹鋼框架及控制屏。
技術(shù)參數(shù):
1、不銹鋼反應(yīng)器:φ25×650mm。三段加熱,總功率:3KW,使用溫度:6000C。
2、預(yù)熱器:φ10×250mm,加熱功率:1KW。
3、催化劑裝載量:10-150ml。
4、氣體轉(zhuǎn)子流量計(jì)量程:0.05-0.5L/min。
5、風(fēng)機(jī):采用HG-370W型空氣旋渦泵;功率:370W;風(fēng)壓:11.76kPa;風(fēng)量:48m3/h。
6、泵的型號(hào)微型隔膜計(jì)量泵;功率:30W;流量:9L/h;沖程頻率:120/minute;吸程:2m。
7、濕式氣體流量計(jì):型號(hào):LML-2,額定流量:0.5m3/h,容積:5L/轉(zhuǎn),精度:±1%。
8、冷凝器:φ40×400mm;氣液分離器:φ50×150mm。
9、各項(xiàng)操作及壓力、流量的顯示、調(diào)節(jié)、控制全在控制屏板面進(jìn)行。
10、框架為不銹鋼材質(zhì),結(jié)構(gòu)緊湊,外形美觀,流程簡(jiǎn)單、操作方便。
11、外形尺寸:1600×600×1800mm。
數(shù)據(jù)采集 配計(jì)算機(jī)、微機(jī)接口和數(shù)據(jù)處理軟件、溫度傳感器、溫度巡檢儀。能在線(xiàn)監(jiān)測(cè)溫度實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品名稱(chēng):數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀/少子壽命測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào):DZ-LT-100C |
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):ZD-LT-100C
為解決太陽(yáng)能單晶、多晶少子壽命測(cè)量,特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。
該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量;也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,制樣簡(jiǎn)便。
DZ-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn):
1、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。
2、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面無(wú)需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源:
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。
5、測(cè)量范圍寬廣
測(cè)試儀可直接測(cè)量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測(cè)范圍 0.25μS—10ms