該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

四探針測(cè)試儀 便攜式四探針檢測(cè)儀 高精度四探針測(cè)試儀          

型號(hào):DL10-RTS-3

測(cè)量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計(jì)；

體積僅為：185mm（長(zhǎng)）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：350g；

使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時(shí)；

RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

測(cè)量范圍 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；

方塊電阻：0.1～19999Ω/□；

恒流源 電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV；

輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%；

顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機(jī)械游移率：≤0.3%；

探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓（總力）；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù) （見(jiàn)探頭附帶的合格證）

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差

（ 按JJG508-87進(jìn)行） 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差 （用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%

外型尺寸 185mm（長(zhǎng)）*90mm（寬）*30mm（高）

重量 350g

電源 鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時(shí)；

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃； 相對(duì)濕度：≤65%； 無(wú)高頻干擾； 無(wú)強(qiáng)光直射；

北京北信科儀分析儀器有限公司

地址：北京市昌平區(qū)西三旗龍旗廣場(chǎng)2號(hào)樓

：李

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