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Epiluvac ER3-C1 SiC分子外延系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準
產(chǎn)品標簽

SiC外延分子外延薄膜沉積

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務(wù)。

公司目前已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

Epiluvac ER3-C1

晶圓直徑可達 200 mm (8“)

通過熱壁拓撲結(jié)構(gòu)實現(xiàn)出色的均勻性

先進的動態(tài)氣體流量控制,可實現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。

具有多個加熱區(qū)的出色溫度曲線

不含石英,適用于氯化工藝

在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命

模塊化設(shè)計,兩個、三個或四個反應(yīng)器組成集群配置。每個反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進行了優(yōu)化

在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進行晶圓運輸

高達 1800 °C

適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)

 

Epiluvac EPI 1000-C

熱壁 CVD 具有出色的均勻性

150 mm 基板直徑

單晶圓和手動裝載

非常適合研發(fā)

 

Epiluvac ER3-N1

上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本

可選的原位監(jiān)測

獲得利的溫度控制,可大限度地減少晶圓彎曲

 

Epiluvac ER3-C1

晶圓直徑可達 200 mm (8“)

通過熱壁拓撲結(jié)構(gòu)實現(xiàn)出色的均勻性

先進的動態(tài)氣體流量控制,可實現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。

具有多個加熱區(qū)的出色溫度曲線

不含石英,適用于氯化工藝

在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命

模塊化設(shè)計,兩個、三個或四個反應(yīng)器組成集群配置。每個反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進行了優(yōu)化

在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進行晶圓運輸

高達 1800 °C

適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)

 

Epiluvac EPI 1000-C

熱壁 CVD 具有出色的均勻性

150 mm 基板直徑

單晶圓和手動裝載

非常適合研發(fā)

 

Epiluvac ER3-N1

上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本

可選的原位監(jiān)測

獲得利的溫度控制,可大限度地減少晶圓彎曲




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