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Amod物理氣相沉積平臺(tái)

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PVDAmodAE物理氣相沉積

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺(tái),快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1 產(chǎn)品概述:

   物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱PVD)平臺(tái)是一種利用物理方式將材料從源頭蒸發(fā)或?yàn)R射到基底表面進(jìn)行薄膜制備的先進(jìn)設(shè)備。該技術(shù)通過高速粒子的撞擊,將材料從固態(tài)或液態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài),并沉積在基底上形成薄膜。PVD平臺(tái)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、電子、航空航天、生物醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域,是材料科學(xué)和現(xiàn)代工業(yè)中關(guān)鍵工藝設(shè)備。

2 設(shè)備用途:

  半導(dǎo)體行業(yè):在半導(dǎo)體材料表面沉積一層或多層薄膜,以制備晶體管、集成電路等半導(dǎo)體器件,提高器件性能和穩(wěn)定性。

  光學(xué)領(lǐng)域:在光學(xué)元件表面沉積光學(xué)薄膜,改變其光學(xué)性能,如反射率、透過率和折射率等,滿足特定光學(xué)需求。

  航空航天:在航空航天部件表面沉積耐磨、耐腐蝕、耐高溫的薄膜,提高部件的使用壽命和安全性。

  生物醫(yī)學(xué):在醫(yī)療器械表面沉積生物相容性好的薄膜,提高器械的生物相容性和耐腐蝕性。

  數(shù)據(jù)存儲(chǔ):在硬盤、光盤等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)表面沉積薄膜,提高存儲(chǔ)密度和讀寫速度。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  1.     高精度與高質(zhì)量:PVD平臺(tái)能夠制備出高精度、高質(zhì)量的薄膜,滿足各種精密加工需求。      

  2.     多功能性:支持多種鍍膜方式,如蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、脈沖激光沉積等,滿足不同材料的鍍膜需求。

  3.     高靈活性:設(shè)備設(shè)計(jì)靈活,可根據(jù)具體需求進(jìn)行定制,適應(yīng)不同尺寸和形狀的基底。

  4.     高真空環(huán)境:設(shè)備在高度真空環(huán)境下工作,減少雜質(zhì)污染,保證薄膜的純凈度和質(zhì)量。

Angstrom Engineering Amod PVD 平臺(tái)是一款物理氣相沉積系統(tǒng),以下是其一些技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用:
技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

  • 具有 500mm×500mm 的基片臺(tái),可容納多達(dá) 8 個(gè)源,能適應(yīng)多種物理氣相沉積工藝,也可配置以達(dá)到超高真空(UHV)環(huán)境。

  • 沉積源選項(xiàng)豐富,包括:

濺射:提供射頻(RF)、直流(DC)、脈沖直流(Pulsed DC)、高功率脈沖磁控濺射(HIPIMS)和反應(yīng)濺射等多種模式,并有圓形、線性和圓柱形陰可供選擇。

熱蒸發(fā):可使用各種舟、燈絲和坩堝加熱器,且具備自動(dòng)調(diào)諧功能以確保精確的速率控制。

電子束蒸發(fā):提供多種源功率和電源選項(xiàng),通過 Aeres 軟件平臺(tái)控制的可編程掃描控制器帶有配方存儲(chǔ)功能,扭矩感應(yīng)坩堝分度器可檢測(cè)口袋堵塞情況,Amod 腔室內(nèi)有空間容納多個(gè)電子束源。

  • 等離子體和離子束處理:使用一系列離子源進(jìn)行清潔和薄膜增強(qiáng)處理,包括輝光放電等離子體清潔。

  • 基片夾具增強(qiáng)功能:如階段加熱和冷卻、可變角度階段、卷對(duì)卷涂層、掩蔽快門、行星和圓頂夾具、基片偏壓等。




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