1 產(chǎn)品概述：

    化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)是一類專門用于制備化合物半導(dǎo)體材料的設(shè)備，這些材料通常由兩種或多種元素組成，如GaAs、GaN和SiC等。這些材料因其高功率、高頻率等特性，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中占據(jù)重要地位。

2 設(shè)備用途：

化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)的主要用途包括：

1. 晶圓制備：通過外延生長(zhǎng)技術(shù)，在襯底上沉積高質(zhì)量的化合物半導(dǎo)體薄膜，用于制造高性能的半導(dǎo)體器件。

2. 芯片設(shè)計(jì)與制造：支持化合物半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造過程，包括射頻功率放大器、高壓開關(guān)器件等。

3. 光電器件：用于制造太陽電池、半導(dǎo)體照明、激光器和探測(cè)器等光電器件。

4. 微波射頻：在移動(dòng)通信、導(dǎo)航設(shè)備、雷達(dá)電子對(duì)抗以及空間通信等系統(tǒng)中，化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)用于制造射頻功率放大器等核心組件。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)通常具備以下特點(diǎn)：

1. 高精度與均勻性：

     沉積均勻性：能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓級(jí)的高沉積均勻性，確保薄膜厚度和質(zhì)量的一致性。

     精確控制：通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)，如溫度、壓力、氣體流量等，可以精確控制薄膜的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度。

2. 多功能性：

     多種沉積方法：支持化學(xué)氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）等多種沉積方法，滿足不同材料和器件的制備需求。

     多種薄膜材料：能夠沉積金屬薄膜、非金屬薄膜、多組分合金薄膜以及陶瓷或化合物層等多種薄膜材料。

3. 高溫與低溫兼容性：

     高溫沉積：部分設(shè)備能夠在高溫下工作，確保薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和純度。

     低溫輔助：采用等離子或激光輔助技術(shù)，可以降低沉積溫度，保護(hù)基體材料不受高溫?fù)p傷。

4. 高效與自動(dòng)化：

     高吞吐量：通過優(yōu)化設(shè)計(jì)和自動(dòng)化控制，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

     自動(dòng)裝載與卸載：部分設(shè)備配備自動(dòng)衛(wèi)星裝載系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)樣品的自動(dòng)裝載與卸載，提高操作便捷性。

4  設(shè)備參數(shù)：
用于在 150/200 mm 襯底（Si/Sapphire/SiC）上進(jìn)行高級(jí) GaN 應(yīng)用

• 間歇式反應(yīng)器的成本優(yōu)勢(shì)與單晶圓反應(yīng)器軸對(duì)稱晶圓上均勻性相結(jié)合，在以下方面：

o    Wafer Bow （威化弓）

o    層厚、材料成分、摻雜劑濃度

o    組件產(chǎn)量

• 暖吊頂通過晶圓提供熱通量

o    由于垂直溫度梯度最小，晶圓曲率最小

o    允許使用標(biāo)準(zhǔn)厚度的硅晶片

• 通過客戶特定的襯底腔設(shè)計(jì)優(yōu)化晶圓溫度

配置

• 8x150 毫米

• 5x200 毫米