化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>薄膜生長(zhǎng)設(shè)備>物理氣相沉積設(shè)備>JGP450 高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
JGP450 高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 沈陽(yáng)科儀
- 型號(hào) JGP450
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/9/5 10:16:29
- 訪問(wèn)次數(shù) 207
產(chǎn)品標(biāo)簽
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1.產(chǎn)品概述:
本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
2.設(shè)備用途:
用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
3.真空室結(jié)構(gòu):
圓筒形上升蓋尺寸例如φ450×350mm,采用不銹鋼材料制造,可進(jìn)行內(nèi)烘烤,接口處采用金屬墊圈或氟橡膠圈密封。
真空室尺寸:φ450×350mm
限真空度:≤6.0E-5Pa包括分子泵和機(jī)械泵,通過(guò)超高真空閘板閥主抽,并設(shè)有旁路抽氣
沉積源:永磁靶3套,φ2英寸
樣品尺寸,溫度:φ2英寸,6片; φ4英寸,1片; 高800℃
占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2米×1.5米×2米
電控描述:全自動(dòng)
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%