SEMSYSCO晶圓電鍍平臺(tái)：Galaxy批處理平臺(tái)

GALAXY BATCH WAFER PLATFORM

GALAXY BATCH WAFER平臺(tái)

借助Galaxy批處理晶圓，我們將多年的批處理晶圓經(jīng)驗(yàn)與通常僅在單個(gè)晶圓工具上才能找到的過程控制技術(shù)相結(jié)合。

此外，該平臺(tái)還可以滿足您的流程需求，使您可以啟動(dòng)原型應(yīng)用程序以及運(yùn)行批量生產(chǎn)流程。

模塊化設(shè)計(jì)

批處理工具的模塊化方法為您提供了滿足加工要求的所有潛在配置。從單室手動(dòng)工具到混合了溶劑或酸處理室的兩個(gè)，四個(gè)甚至八個(gè)室的全自動(dòng)工具，基本工具保持不變，并增加了功能層。

最重要的是，在同一工具內(nèi)，您可以使用托盤進(jìn)行手動(dòng)盒式裝載，并轉(zhuǎn)換為監(jiān)護(hù)托盤以實(shí)現(xiàn)*自動(dòng)化。通過更換載體，您還可以輕松運(yùn)行不同尺寸的基材。

附加功能

另一個(gè)功能是增加了浸沒槽，以實(shí)現(xiàn)金屬的無電沉積。我們的Galaxy-EL具有預(yù)處理，漂洗干燥的分批處理室以及用于沉積非常薄且非常均勻的金屬所必需的槽，同時(shí)提供了的浴壽命，最小的拉出力和出色的均勻性。

GALAXY CUSTOMER ADDED VALUES

模塊化平臺(tái)中用于手動(dòng)和全自動(dòng)工具的相同腔室

出色的自動(dòng)化可靠性和速度

根據(jù)客戶需求定制

每更換一個(gè)腔室就可以處理一種以上的基板尺寸

可以選擇將化學(xué)鍍添加到Galaxy平臺(tái)

升級(jí)和面向未來

建立高通量處理室

GALAXY HIGHLIGHTS

處理3英寸至300毫米的基材

可以處理兩到三種不同尺寸的基板，而無需進(jìn)行最少的配置或無需重新配置-無需對(duì)腔室進(jìn)行重新鑒定

準(zhǔn)備好工業(yè)4.0 –控制和監(jiān)視所有工藝參數(shù)，類似于單個(gè)晶圓工具

蝕刻均勻度3％或更高

在線加藥系統(tǒng)

在線化學(xué)監(jiān)測(cè)

在線氣體檢測(cè)以確保安全

多種蝕刻工藝的終點(diǎn)檢測(cè)