量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800

量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800是可以對應(yīng)單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設(shè)備。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

 除單腔之外，另可搭載有磁場ICP（ISM）或NLD等離子源、去膠腔體、CCP腔體等對應(yīng)多種刻蝕工藝。

為實現(xiàn)制程再現(xiàn)性及安定性搭載了星型電極及各種調(diào)溫技能。

擁有簡便的維護構(gòu)造，實現(xiàn)downtime短化，提供清洗、維護及人員訓練服務(wù)等綜合性的售后服務(wù)體制。

專門的半導體技術(shù)研究所會提供萬全的工藝支持體制。

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

化合物（LED或LD、高頻器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。

金屬配線或?qū)娱g絕緣膜（樹脂類）、門電極加工工藝

強電介質(zhì)材料或貴金屬刻蝕。

磁性體材料加工。

高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H

高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應(yīng)刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料（強電介質(zhì)層、貴金屬、磁性膜等）的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設(shè)備。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

有磁場ICP（ISM）方式-可產(chǎn)生低圧?高密度plasma、為不揮發(fā)性材料加工的設(shè)備。

可提供對應(yīng)從常溫到高溫（400ºC）的層積膜整體刻蝕、硬掩膜去除的刻蝕解決方案。

通過從腔體到排氣line、DRP為止的均勻加熱來防止沉積物。

該設(shè)備采用可降低養(yǎng)護清洗并抑制partical產(chǎn)生的構(gòu)造和材料及加熱機構(gòu)，是在不揮發(fā)性材料的刻蝕方面擁有豐富經(jīng)驗的量產(chǎn)裝置。

實現(xiàn)了長期的再現(xiàn)性、安定性

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

   FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.

研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570

研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570，是搭載了愛發(fā)科獨chuang的磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此NLD技術(shù)可實現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

   NLD用于與ICP方式相比更低壓、高密度、更低電子溫度等離子體的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不純物的多種玻璃加工，在形狀或表面平滑性方面有優(yōu)異的刻蝕性能。

 石英及玻璃作為厚膜resist mask時的也可實現(xiàn)深度刻蝕（100μ m以上）。

 可實現(xiàn)高速刻蝕（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min）

 可追加cassette室。

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

  光學器件（光衍射格子、変調(diào)器、光開關(guān)等等）、凹凸型微透鏡。流體路徑作成或光子學結(jié)晶。

干法刻蝕設(shè)備 APIOS NE-950EX

對應(yīng)LED量產(chǎn)的干法刻蝕設(shè)備?NE-950EX?相對我司以往設(shè)備實現(xiàn)了140%的生產(chǎn)力。是搭載了ICP高密度等離子源和愛發(fā)科獨自開發(fā)的星型電極的干法刻蝕設(shè)備。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

  4inch晶圓可放置7片同時處理，6inch晶圓可實現(xiàn)3片同時處理，小尺寸晶圓方面，2inch晶圓可實現(xiàn)29片、3英寸可對應(yīng)12片同時處理。

 搭載了在化合物半導體領(lǐng)域擁有600臺以上出貨實績的有磁場ICP（ISM）高密度等離子源。

 高生產(chǎn)性（比以前提高140%）。

  為防止RF投入窗的污染待在了愛發(fā)科獨自開發(fā)的星型電極。

 *貫徹Depo對策，實現(xiàn)了維護便利、長期穩(wěn)定、高信賴性的硬件。

 擁有豐富的工藝應(yīng)用的干法刻蝕技術(shù)（GaN藍寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導體）。

 豐富的可選機能。

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

對應(yīng)LED的GaN、藍寶石、各種金屬、ITO等的干法刻蝕設(shè)備

對應(yīng)光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700

對應(yīng)光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。（此愛發(fā)科獨chuang的NLD技術(shù)設(shè)備可實現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子）

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

 •      在潔凈房內(nèi)作業(yè)可擴張為雙腔。（可選配腔室：NLD、有磁場ICP、CCP或者去膠室）

• NLD為時間空間可控的等離子，因此設(shè)備干法清潔容易。

• 腔體維護簡便。

• 從掩模刻蝕到石英、玻璃刻蝕，可提供各類工藝解決方案。

• 專門的半導體技術(shù)研究所會提供萬全的工藝支持體制。

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

• 光學器件（折射格子、光波導、光學開關(guān)等等）、凹凸型微透鏡。

• 流體路徑作成或光子學結(jié)晶。

批處理式自然氧化膜去除設(shè)備 RISE-300

批處理式自然氧化膜去除設(shè)備RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等難以去除的自然氧化膜的批處理式預(yù)清洗裝置。可處理200mm，300mm尺寸晶圓。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

• 高產(chǎn)率以及低CoO

• 良好的刻蝕均一性（小于±5%/批）和再現(xiàn)性

• 干法刻蝕

• Damage-Free（遠端等離子、低溫工藝）

• 自對準接觸電阻僅為濕法的1/2

• 靈活的裝置布局

• 高維護性（方便的側(cè)面維護）

• 300mm晶圓批處理：50枚/批

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

• 自對準接觸形成工藝前處理

• 電鍍工藝前處理

• 晶膜生長前處理

• Co/Ni自對準多晶硅化物的前處理