當今，賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術

當今，賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術，較寬的輸出功率范圍和zui高的效率等特征。如今已經(jīng)有四種不同封裝形式的混合和全碳化硅（SiC）功率模塊可訂購，每種封裝形式都*特色。

碳化硅功率模塊的優(yōu)點

賽米控的混合碳化硅功率模塊是一種易于實現(xiàn)減少功耗并且增加開關頻率的方案。它們結合IGBT技術采用碳化硅肖特基二極管。

全碳化硅功率模塊必須采用碳化硅（SiC）MOSFET開關管以實現(xiàn)效率大于99%，zui小的功耗以及zui大的輸出功率和功率密度。由于MOSFET具有體二極管，所以在任何情況下都不需要外部反并聯(lián)二極管，隨著效率的增加 優(yōu)勢將更加明顯。賽米控提供的功率模塊采用的供應商的碳化硅芯片，經(jīng)受了的賽米控的質(zhì)量和可靠性的檢測。

碳化硅功率模塊的關鍵特性

• 增加的開關頻率使得濾波元件實現(xiàn)*化并且降低了成本
• 降低的功率損耗實現(xiàn)了效率的增加并且通過使用更小的冷卻設備降低了系統(tǒng)成本和尺寸
• 的供應商的的碳化硅芯片
• 為您的應用提供采用*化的芯片組的多種封裝和連接技術

碳化硅功率模塊的應用

碳化硅功率模塊擁有的技術，用它搭建的系統(tǒng)具有技術上和商業(yè)上的優(yōu)勢。 隨著開關頻率的增加，升壓應用中的濾波元件choke電感或者電源，UPS或者光伏逆變器負載端濾波器將大幅減小。另外，功率損耗的降低使得在冷卻系統(tǒng)中可以使用更低功率的風扇，更小的散熱器或者將以前的強制風冷應用改為自然對流冷卻的形式，節(jié)省了冷卻成本。zui終，整個系統(tǒng)的效率將被zui大化以實現(xiàn)現(xiàn)代功率轉換系統(tǒng)的需求。

混合碳化硅模塊：
在高開關頻率時效率高

• 混合碳化硅模塊結合快速開關IGBT芯片采用碳化硅肖特基續(xù)流二極管
• 主要減小開關損耗并且增加效率
• 將1200V,450A分別采用中等功率IGBT4以及碳化硅續(xù)流二極管和快速IGBT4以及碳化硅肖特基二極管的SKiM93做對比：
• 效率從96%增加到98.3%
• 輸出功率增加50%達到110KW

全碳化硅模塊：
在高頻下功率輸出增加150%

• 全碳化硅模塊采用一代的碳化硅MOSFET，帶或者不帶碳化硅肖特基續(xù)流二極管
• zui大程度的降低了開關損耗并且由于MOSFET的特性在低負載條件下降低了靜態(tài)損耗
• 將1200V,20A采用低功率IGBT4以及碳化硅MOSFET帶或者不帶續(xù)流二極管的MiniSKiiP做比較：
• 效率增加超過99%
• 輸出功率增加超過100%