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IC靜電放電的測(cè)試方法
1 前言
靜電放電（ESD，electrostatic discharge）是電子工業(yè)zui花代價(jià)的損壞原因之一，它會(huì)影響到生產(chǎn)合格率、制造成本、產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性以及公司的可獲利潤。隨著IC產(chǎn)品的制造工藝不斷微小化，ESD引起的產(chǎn)品失效問題越來越突出。為了能夠了解我們所制造的IC產(chǎn)品的抵抗靜電打擊的能力，提升產(chǎn)品的質(zhì)量，減少因ESD而引起的損傷，世界各地的IC工程師們研制出了許多靜電放電模擬器，用來模擬現(xiàn)實(shí)生活中的靜電放電現(xiàn)象，用模擬器對(duì)IC進(jìn)行靜電測(cè)試，借以找出IC的靜電放電故障臨界電壓。本文就是結(jié)合我們現(xiàn)在使用的靜電放電模擬器（ZapMaster）詳細(xì)介紹靜電放電的測(cè)試過程。
靜電放電（ESD，electrostatic discharge）是電子工業(yè)zui花代價(jià)的損壞原因之一，它會(huì)影響到生產(chǎn)合格率、制造成本、產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性以及公司的可獲利潤。隨著IC產(chǎn)品的制造工藝不斷微小化，ESD引起的產(chǎn)品失效問題越來越突出。為了能夠了解我們所制造的IC產(chǎn)品的抵抗靜電打擊的能力，提升產(chǎn)品的質(zhì)量，減少因ESD而引起的損傷，世界各地的IC工程師們研制出了許多靜電放電模擬器，用來模擬現(xiàn)實(shí)生活中的靜電放電現(xiàn)象，用模擬器對(duì)IC進(jìn)行靜電測(cè)試，借以找出IC的靜電放電故障臨界電壓。本文就是結(jié)合我們現(xiàn)在使用的靜電放電模擬器（ZapMaster）詳細(xì)介紹靜電放電的測(cè)試過程。
2靜電放電模式及標(biāo)準(zhǔn)
目前在世界工業(yè)界對(duì)靜電放電的模式大致定義了四種：人體模式HBM（humanbodymodel）、機(jī)器模式MM（machine model）、器件充電模式CDM（charge device model）、電場(chǎng)感應(yīng)模式FIN（neldinducedmodel）。因?yàn)樵?/span>IC的制造和使用過程中，人體和IC接觸的機(jī)會(huì)zui多，由人體靜電損傷造成IC失效的比例也zui大，而且在實(shí)際應(yīng)用中工業(yè)界也大多采用HBM模式來標(biāo)注IC的靜電等級(jí)。所以本文將著重介紹HBM的測(cè)試方法和判別標(biāo)準(zhǔn)。
人體模式（HBM），是指人體在地上走動(dòng)、摩擦或者其他因素在人體上已積累了靜電，當(dāng)此人去直接接觸IC時(shí)，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)IC的管腳而進(jìn)入IC內(nèi)，再由IC放電到地去。此放電過程會(huì)在短到幾百個(gè)納秒的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流，這個(gè)電流會(huì)把IC內(nèi)部的元件燒毀。圖1是HBM人體放電模式的電路模型，其中R2模擬人體電阻，C1模擬人體電容。測(cè)試過程是先用高壓源經(jīng)過電阻R1對(duì)電容C1充電，電容充電后經(jīng)電阻R2對(duì)DUT（被測(cè)器件）放電。因?yàn)?/span>靜電電壓有的要達(dá)到幾千伏特甚至上萬伏特，校驗(yàn)比較困難，而電流的校驗(yàn)比較容易，因此現(xiàn)在都是采用靜電放電電壓相對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的電流來校驗(yàn)。圖2是HBM的放電電流波形。表1為不同的HBM靜電電壓相對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的放電電流與時(shí)間的關(guān)系。
上針對(duì)HBM人體放電模式已經(jīng)制定了許多通用的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，比較常見的有以下幾個(gè)：
①USMIL-STD-883EMethod3015．7notice 8；
②ESDASSOCIATIONSTM5．1-2001；
③JEDECEIA／J~D22-A114-B；
④Automotive Electronics CouncilAEC-Q100-002-REV-C
國內(nèi)主要標(biāo)準(zhǔn)有：GJB548A-96方法301
3 靜電放電的測(cè)試組合
靜電放電電流在IC中流動(dòng)是有規(guī)律可循的，所以針對(duì)每個(gè)PIN做交叉放電分析是我們使用的zui基本的測(cè)試方法。但是并非胡亂交叉測(cè)試就能得到結(jié)論，必須有一套正確而快速的測(cè)試方法作為測(cè)試的準(zhǔn)則。下面以GJB548A-96方法3015中的要求，詳細(xì)介紹各種靜電放電的測(cè)試組合。
3．1 I／O腳對(duì)電源腳的靜電放電測(cè)試
靜電的積累可能是正的或負(fù)的電荷，因此靜電放電測(cè)試對(duì)同一IC腳而言要求具有正負(fù)兩種極性。對(duì)每一支I／O管腳而言，其對(duì)電源腳的HBM靜電放電測(cè)試有下列四種ESD測(cè)試組合，其等效電路示意圖如圖3-圖6所示。
1）圖3為PS-模式（Pin-to-Vss正極性）：Vss腳接地，正的ESD電壓出現(xiàn)在該I／O腳對(duì)Vss腳放電，此時(shí)VDD與其他腳懸空。
（2）圖4為NS-模式（Pin-to-Vss負(fù)極性）：Vss腳接地，負(fù)的ESD電壓出現(xiàn)在該I／O腳對(duì)Vss腳放電，此時(shí)VDD與其他腳懸空。
（3）圖5為PD-模式（Pin-to-VDD正極性）：VDD腳接地，正的ESD電壓出現(xiàn)在該I／0腳對(duì)VDD腳放電，此時(shí)Vss與其他腳懸空。
（4）圖6為ND-模式（Pin-to-VDD負(fù)極性）：VDD腳接地，負(fù)的ESD電壓出現(xiàn)在該I/O腳對(duì)VDD腳放電，此時(shí)Vss與其他腳懸空。
3．2 Pin-to-Pin的靜電放電測(cè)試
靜電放電可能出現(xiàn)在IC的任何兩只管腳之間，若該兩只管腳之間無直接的相關(guān)電路，*共同使用的是VDD與Vss電源線相連接，就有可能出現(xiàn)當(dāng)ESD放電發(fā)生在不相干的兩只IC腳之間時(shí)，靜電放電電流會(huì)先經(jīng)過某部分電路流向VDD或Vss電源線上，再由VDD或Vss電源線連接流向另一只IC腳，再由那只IC腳流出IC。但是如果每一個(gè)IC的兩只管腳之間都要做測(cè)試，那么一個(gè)40HN的IC便要有1560種排列組合的ESD測(cè)試，這樣太浪費(fèi)時(shí)間。因此測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)便規(guī)定了改良式的測(cè)試方法。如圖7-圖8所示，即所謂的Pin-to-Pin測(cè)試。在該種方法的測(cè)試組合中，也按靜電放電的正負(fù)兩種極性分成兩種測(cè)試模式：
（1）圖7為正極性模式：正的ESD電壓出現(xiàn)在某一I／O腳，此時(shí)所有其他I／O腳全部接地，但所有的VDo腳與Vss腳都懸空。
（2）圖8為負(fù)極性模式：負(fù)的ESD電壓出現(xiàn)在某一I／O腳，此時(shí)所有其他I／O腳全部接地，但所有的VDD腳與Vss腳都懸空。
3． 3 VDD-to-VSS靜電放電測(cè)試
靜電放電也可能發(fā)生在VDD腳與VSS腳之間，因此對(duì)VDD腳與Vss腳有下列測(cè)試組合，其等效電路示意圖如圖9-圖12所示
1）圖9為VDD-正極性模式：正的ESD電壓出現(xiàn)在VDD腳，此時(shí)Vss接地，但所有的I／O腳都懸空。
（2）圖10為VDD-負(fù)極性模式：負(fù)的ESD電壓出現(xiàn)在VDD腳，此時(shí)Vss接地，但所有的I／O腳都懸空。
（3）圖11為Vss-正極性模式：正的ESD電壓出現(xiàn)在Vss腳，此時(shí)VDD接地，但所有的I／O腳都懸空。
（4）圖12為Vss-負(fù)極性模式：負(fù)的ESD電壓出現(xiàn)在Vss腳，此時(shí)VDD接地，但所有的I/O腳都懸空。
這里需要做一些說明：在一個(gè)IC中，各個(gè)管腳的功能有所不同?？赡苡袃蓚€(gè)或兩個(gè)以上標(biāo)注為相同名稱的電源腳（例如：Vcc、VDD、Vss、analog、GND、digital、GND等等），按照標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，只要這些電源腳在內(nèi)部是通過金屬連接或歐姆連接，兩個(gè)電源腳之間的引線電阻小于2Ω，就可以把這一組電源腳或接地腳連在一起，看成是一個(gè)VDD Grouppin或VssGrouppin，其他IC腳分別對(duì)其進(jìn)行靜電測(cè)試。否則就應(yīng)該把這些VDD或Vss看成是各自獨(dú)立的，其他腳分別按照以上的測(cè)試組合對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。除了電源腳以外的其他各種類型的管腳，比如數(shù)據(jù)、地址、讀寫控制、時(shí)鐘、基準(zhǔn)和補(bǔ)償?shù)裙苣_，在靜電測(cè)試時(shí)不用考慮其管腳的功能，只把他們看成是Inputpin或Outputpino。
3．4 Analog Pin的靜電放電測(cè)試
在類比（Analog）IC中有一種測(cè)試組合，在標(biāo)準(zhǔn)中是沒有規(guī)定到，但在實(shí)際使用中有些IC工程師為了能夠更的測(cè)試這類IC的抗靜電能力，經(jīng)常使用這種測(cè)試組合，這種組合就是類比（Analog）IC內(nèi)的差動(dòng)輸入級(jí)（DifferentialPair）的測(cè)試組合。例如運(yùn)算放大器（OPAMP）的輸入級(jí)，如果該差動(dòng)輸入級(jí)的正負(fù)輸入級(jí)都連接到IC的管腳時(shí)，這兩只輸入腳要另外單獨(dú)做靜電放電測(cè)試，以驗(yàn)證該兩只輸入腳所連接的差動(dòng)輸入級(jí)會(huì)不會(huì)被靜電放電所破壞，其等效電路示意圖如圖13和圖14所示：
（1）圖13為正極性模式：正的ESD電壓出現(xiàn)在差動(dòng)輸入級(jí)的正輸入腳位，此時(shí)差動(dòng)輸入級(jí)的負(fù)輸入腳接地，但其他所有的I／O腳以及VDD與Vss腳都懸空。
（2）圖14為負(fù)極性模式：負(fù)的ESD電壓出現(xiàn)在差動(dòng)輸入級(jí)的正輸入腳位，此時(shí)差動(dòng)輸入級(jí)的負(fù)輸入腳接地，但其他所有的I／O腳以及VDD與Vss腳都懸空。
4 靜電測(cè)試方式
在ESD測(cè)試過程中，我們可以采用從低電壓到高電壓進(jìn)行測(cè)試，也可以從高電壓到低電壓進(jìn)行測(cè)試，這兩種方式都可以找出IC的"靜電放電故障臨界電壓"?，F(xiàn)在以低電壓到高電壓為例詳細(xì)介紹一下靜電測(cè)試方法。
在每一個(gè)測(cè)試組合模式下，IC的某一被測(cè)試腳先被打上（ZAP）某一ESD電壓，而且在同一ESD電壓下，IC的該測(cè)試腳必須要被ZAP三次，每次ZAP之間間隔的時(shí)間為]秒鐘，ZAP三次后再觀看該測(cè)試腳是否已被ESD所損傷，若IC尚未被損傷則提升ESD的電壓，再ZAP三次。此ESD電壓由小而逐漸增大，如此重復(fù)下去，直到該IC腳己被ESD所損壞，此時(shí)造成IC該測(cè)試腳損壞的ESD電壓為"靜電放電故障臨界電壓"。
我們每次提升的ESD電壓幅度要選擇一個(gè)合適的數(shù)值，如果幅度太小，則測(cè)試到IC管腳損壞要經(jīng)過多次的ESD放電，增長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間；若每次提升的幅度太大，則難以較地測(cè)出該IC腳的ESD耐壓能力。因此，根據(jù)我們的實(shí)際測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，當(dāng)ESD測(cè)試電壓低于1kV時(shí)，每次ESD電壓增加量為50V或100V；當(dāng)ESD測(cè)試電壓高于1kV時(shí)，每次ESD電壓增加量為100V或250V。而ESD測(cè)試的起始電壓則從平均ESD故障臨界電壓的70%開始。
例如，某一IC的人體放電模式（HBM）ESD耐壓大概平均在2000V左右，那么起始測(cè)試電壓約從1400V開始。測(cè)試時(shí)，1400V的ESD電壓ZAP到IC的某一腳去（根據(jù)文章第三部分介紹的測(cè)試引腳組合，相應(yīng)的VDD或VSS腳要接地），測(cè)試三次1400V的ESD放電，若該IC腳尚未損壞，則提升ESD電壓到1500V，此1500V的ESD電壓再打該IC腳三次，若該IC腳尚未損壞，再提升ESD電壓到1600V，依次類推，直到該IC腳被靜電放電所損壞為止。
我們可以來估算一下，一個(gè)40PIN的IC，（38支I/O，1支VDD，一支VSS），他的HBM測(cè)試電壓自1400V熾到2000V，每次增加量為100V的情形下，所要測(cè)試的次數(shù)：每一測(cè)試腳在變化ESD電壓之下的ZAP次數(shù)[（2000-1400）/100+1]； 38支I/O腳的測(cè)試次數(shù)=38支×4種×21次=3192次； Pin-to-Pin靜電放電測(cè)試（如圖3.2.1-3.2.2所示）之次數(shù)=38支×2種×21次=1596次；VDD-to-VSS靜電放電測(cè)試（如圖3.3.1-3.3.4所示）之次數(shù)=2支×4種×21次=168次； 故該4O腳IC的ESD（1400-2000V）總測(cè)試次數(shù)=4956次。
由上述的簡(jiǎn)單估算可知，一個(gè)具有40支管腳的IC，只從1400V測(cè)到2000V，每一次電壓調(diào)升100V，則要4956次的ESD放電測(cè)試。而在實(shí)際情況中，IC管腳的耐壓程度可能每一支都不同，要真正測(cè)出每一支管腳的ESD耐壓程度，則所需測(cè)試次數(shù)會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過上述的數(shù)字。因此可根據(jù)你的實(shí)際要求，增加電壓調(diào)升的幅度，這樣可以減少測(cè)試的次數(shù)及時(shí)間。
5靜電放電故障判斷
每一個(gè)IC對(duì)靜電放電都有一定的承受能力，要想知道IC的靜電承受能力，除了以上介紹的測(cè)試組合外，我們?cè)谧鰷y(cè)試分析時(shí)還需要有一套正確的判別標(biāo)準(zhǔn)，來判別被測(cè)試電路是否失效，否則光有方法而無判別標(biāo)準(zhǔn)也是枉然。
IC經(jīng)由ESD測(cè)試后，要判斷其是否已被ESD所破壞，以便決定是否要再進(jìn)一步測(cè)試下去。但如何判定IC已被ESD所損壞了呢?我們現(xiàn)在使用的靜電測(cè)試儀可以在ESD測(cè)試前后測(cè)量每一支IC管腳I／V特性曲線，再根據(jù)ESD測(cè)試前后的特性曲線做比較來判別IC是否發(fā)生失效。具體的判別標(biāo)準(zhǔn)有以下幾種：
①漏電流：先規(guī)定一個(gè)具體的電壓值VF和漏電流極限值IF，當(dāng)IC被ESD測(cè)試后，其某一管腳在電壓VF以下產(chǎn)生的漏電流大于規(guī)定極限值IF時(shí)，失效發(fā)生。漏電流會(huì)隨偏壓的大小增加而增加，例如在測(cè)漏電流時(shí)所加的電壓VF為3V，規(guī)定漏電流極限IP為luA。ESD測(cè)試后在3V下如果測(cè)試到的漏電流大于luA為失效。
②相對(duì)電壓漂移：在某一固定電流值IREF時(shí)，ESD測(cè)試前與測(cè)試后電壓漂移量超過的百分比，失效發(fā)生。我們比較常用的方式是IREF為lμA時(shí)的參考電壓VREF漂移量超過土30％，該管腳失效。
③短開路：在經(jīng)ESD測(cè)試后，測(cè)量被ESD測(cè)試后的某一管腳的I／V曲線，如果出現(xiàn)短路到地或開路現(xiàn)象（輸入電壓，電流無窮大或輸入電壓，電流接近于零），該管腳失效。
④相對(duì)I/V漂移：在ESD測(cè)試前先測(cè)量到某一管腳I/V特性曲線，當(dāng)IC被ESD測(cè)試后，自該管腳進(jìn)入IC內(nèi)部的I／V特性曲線漂移量在30％（20％或40％）。例如輸入范圍是3V、1μA，那么它漂移量的包絡(luò)線范圍是2．1V-3．9V和0．7A-1．31lA。如圖15所示，Aftertrace（ESD測(cè)試后測(cè)量的I／V曲線）已有部分超出Beforetrace（ESD測(cè)試前測(cè)量的I／V曲線）的30％的包絡(luò)線，該管腳失效。
以上四種是我們的靜電測(cè)試儀自帶的zui常用的幾種簡(jiǎn)易判別方法，適合用于大批量的測(cè)試，可以進(jìn)行快速判別。
⑤功能測(cè)試法：先把功能正常且符合規(guī)格IC的每一支腳依測(cè)試組合打上某一電壓準(zhǔn)位的ESD測(cè)試電壓，再拿去測(cè)試其功能是否仍然符合原來的規(guī)格。這種方法是zui能夠反應(yīng)出電路在經(jīng)過ESD測(cè)試后電路性能的變化。一般的ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)都規(guī)定在經(jīng)過ESD測(cè)試后要經(jīng)過功能測(cè)試（包括靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試），才能zui終確定其"靜電放電故障臨界電壓"。
采用不同的故障判定準(zhǔn)則，對(duì)同一個(gè)IC而言，可能會(huì)有差距很大的ESD故障臨界電壓。判別一個(gè)電路的ESD故障臨界電壓要在注明其故障判定準(zhǔn)則條件之下，才顯得有意義。否則在你這里選擇這種判別準(zhǔn)則，在另一家選擇其他的判別準(zhǔn)則，會(huì)得出不同的ESD故障臨界電壓，這樣就會(huì)給別人造成混亂，究竟我的IC的ESD故障臨界電壓是多少?
6 靜電放電測(cè)試結(jié)果的判讀及分類
6．1 ESD測(cè)試結(jié)果判讀
表3是一個(gè)IC的實(shí)際ESD測(cè)試zui低故障臨界電壓，PINl為"VDD"，PIN8為"Vss"，其余PIN為I／O。按照本文第三部分介紹的測(cè)試組合，做了一些簡(jiǎn)化，方法ALL-to-VDD指除VDD以外的所有管腳分別對(duì)VDD測(cè)試，VDD接地；方法ALL-to-Vss指除Vss以外的所有管腳分對(duì)Vss打擊，Vss接地；方法IO-to-IO指I／O腳相互測(cè)試，沒有被測(cè)到的I／O管腳接地，VDD和Vss懸空；"OK"指超過8000V。我們來看PIN2，六種方法測(cè)到的zui低ESD故障臨界電壓分別為7250V、-8000V、7000V、-8000V、6500V和-3500V，該腳的ESDzui低故障臨界電壓為3500V；再來看PIN3分別是4250V、-500V、4000V、-5750V、7000V、-8000V，該腳的zui低故障臨界電壓為500V；PIN6分別是6500V、-750V、500V、8000V、2250V、-750V，該腳的zui低故障臨界電壓為500V。以次類推，每一個(gè)腳都能找到其zui低的ESD故障臨界電壓。這個(gè)IC的ESDzui低故障臨界電壓應(yīng)定為所有腳中zui低的電壓，既500V。我們可以從上面看到，雖然有的管腳的ESD故障臨界電壓可以達(dá)到3500V或更高，但只要其中有一只管腳的電壓很低，就應(yīng)該以這只zui低管腳的電壓為整個(gè)IC的ESDzui低故障臨界電壓。
所以我們需要注意的是，在靜電放電保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中，要能夠提升`IC所有管腳的靜電放電故障臨界電壓，而不是只提升某幾只管腳的靜電放電保護(hù)能力而己。IC的制造過程特性有時(shí)會(huì)有小幅的（10％）漂移，因此每個(gè)IC之間的特性會(huì)有些細(xì)微的不同，其ESD耐壓特性也可能會(huì)有些差異。每次測(cè)試所選用的IC數(shù)目不能太少，應(yīng)至少大于5個(gè)，每一個(gè)都找出其ESD故障臨界電壓，可能每個(gè)IC都不太相同。這時(shí)我們定義其中zui低的ESD故障臨界電壓為該批IC的ESD故障臨界電壓。數(shù)量選的越多，該批IC的ESD故障臨界電壓越。
6．2靜電放電敏感度分類
不同的ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)都規(guī)定了靜電放電敏感度分類，以下是幾個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電敏感度分類：表4為GJB548A-96（MIL883E）的分類，表5為ESDSTM5．1-2001和JEDECEIA／JESD22-A114-B的分類。在IC經(jīng)過ESD測(cè)試后，就可以根據(jù)測(cè)試結(jié)果，按照你所適用的標(biāo)準(zhǔn)，給你的IC標(biāo)注靜電等級(jí)。
7結(jié)束語
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，元件尺寸的日益縮小、集成度也日益提高，使得靜電放電對(duì)IC造成的破壞越來越嚴(yán)重，各IC相關(guān)的從業(yè)人員也越來越重視這個(gè)問題，靜電放電測(cè)試結(jié)果已經(jīng)成為評(píng)估產(chǎn)品可靠性的一個(gè)重要指標(biāo)，靜電放電測(cè)試的主要應(yīng)用有兩個(gè)：*是了解元件的靜電放電敏感度等級(jí)，提升產(chǎn)品的可靠性，并且可以給制造、封裝、測(cè)試、組裝及運(yùn)輸?shù)热藛T提供參考；第二可以針對(duì)經(jīng)過ESD測(cè)試的元件的弱點(diǎn)做故障分析，以便IC設(shè)計(jì)人員或工藝人員在查清問題后進(jìn)行設(shè)計(jì)或工藝改良。本文就ESD相關(guān)的測(cè)試原理和測(cè)試方法等作了詳細(xì)的介紹，從文章中可以看到，ESD測(cè)試從每一只管腳的測(cè)試組合，每一個(gè)IC的測(cè)試方法，一直到整批IC，ESD故障臨界電壓的判定，都給我們一個(gè)很重要的概念，ESD故障臨界電壓不是一只管腳的問題，而是整批的問題。
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