光譜橢偏儀廣泛用于薄膜分析和測(cè)量。Holmarc 的光譜橢偏儀采用旋轉(zhuǎn)分析儀橢偏技術(shù)來(lái)表征薄膜樣品。它使用高速 CCD 陣列檢測(cè)來(lái)收集整個(gè)光譜。它可以測(cè)量從納米厚度到幾十微米

的薄膜，以及從透明材料到吸收材料的光學(xué)特性。它能精確測(cè)量折射率、薄膜厚度和消光系數(shù)等光學(xué)常數(shù)。

                                                                                              規(guī)格

    光譜范圍：450 - 800 納米

    橢偏儀配置 ：  RAE

    探測(cè)器：3648 像素 CCD 線性傳感器

    光譜分辨率：1 納米

    入射角：50 - 75 度（分辨率 0.1 度，自動(dòng)操作）

    樣品聚焦：自動(dòng)

    樣品厚度：0.3 毫米 - 8 毫米

    厚度測(cè)量范圍：20 納米 - 10 微米

    薄膜厚度分辨率：0.01 納米

    測(cè)量 R.I 的分辨率：0.001

    樣品校準(zhǔn) ：  手動(dòng)傾斜

    樣品測(cè)量  自動(dòng)

    厚度分析：先進(jìn)的數(shù)學(xué)擬合算法

    軟件功能

    自動(dòng)操作

    自動(dòng)樣品聚焦

    用戶可擴(kuò)展材料庫(kù)

    數(shù)據(jù)可保存為 Excel 格式

    數(shù)學(xué)擬合算法

    多層厚度測(cè)量

    推導(dǎo)厚度和光學(xué)常數(shù)

橢偏原理

橢偏儀是一種高靈敏度的薄膜分析技術(shù)。其原理依賴于光從表面反射時(shí)偏振態(tài)的變化。

為了描述與電磁波電場(chǎng)方向相對(duì)應(yīng)的偏振態(tài)，選擇了兩個(gè)方向作為參考，即 p 方向（平行）和 s 方向（垂直）。反射光在 p 方向和 s 方向的相位變化不同。橢偏儀可以測(cè)量這種偏振狀態(tài)；

p = rp / rs = tan Ψe iΔ

其中，Ψ 和 Δ 分別是 p 和 s 分量的振幅比和相移。由于橢偏儀測(cè)量的是兩個(gè)值的比值，因此非常精確且可重復(fù)。

特點(diǎn)

    非破壞性和非接觸式技術(shù)

    分析單層和多層樣品

    精確測(cè)量超薄薄膜

    用于測(cè)量、建模和自動(dòng)操作的軟件

    統(tǒng)一的 (Ψ, Δ) 測(cè)量靈敏度