研究背景：

當二維電子氣受到強磁場作用時會出現(xiàn)朗道能級，并可以觀察到量子化的霍爾電。Chern絕緣體可以在沒有朗道能級的情況下表現(xiàn)出量子化霍爾效應。理論上，這種狀態(tài)可以通過在蜂窩晶格中設計復雜的次近鄰跳躍來實現(xiàn)，即所謂的Haldane模型。盡管Haldane模型對拓撲物理領域產(chǎn)生了深遠的影響，并且最近在冷原子實驗中得到了應用，但Haldane模型尚未在固態(tài)材料中實現(xiàn)。

研究進展：

鑒于此，康奈爾大學的Kin Fai Mak教授和單杰教授報道了在AB堆疊MoTe₂/WSe₂莫爾雙層（如下圖1所示）中實現(xiàn)Chern 絕緣體的實驗，該雙層形成了蜂窩狀莫爾晶格，其中兩個子晶格位于不同的層中。研究表明，每個晶胞充滿兩個孔的莫爾雙層是具有可調(diào)電荷間隙的量子自旋霍爾絕緣體。在小的面外磁場下，它成為具有有限陳數(shù)的Chern絕緣體，因為塞曼場將量子自旋霍爾絕緣體分成具有相反谷的兩半：一個具有正的莫爾帶，另一個具有負的莫爾帶差距。他們還通過將莫爾雙層接近耦合到鐵磁絕緣體來展示零外部磁場下Haldane模型的實驗證據(jù)。

進展概述：

對于電學測量，實驗是在閉循環(huán)低溫恒溫器和 Bluefors LD250 稀釋制冷機（12T，晶格溫度 10mK）中進行的。實驗中制備的雙柵極 Hall bar  AB堆垛MoTe₂/WSe₂莫爾雙層器件被固定在一組可在xyz方向上實現(xiàn)5 mm精確位移的納米位移臺上，其精確的定位是測試的核心與關鍵。這種精確位移得益于德國attocube 公司提供的低溫強磁場納米精度位移臺（ANP101，attocube systems AG），其可在低溫和強磁場環(huán)境中提供納米級精度位移，隨后采用標準的低頻（10-20Hz）鎖相技術，在低偏壓（0.2-1mV）下測量樣品電阻，以避免樣品發(fā)熱。使用具有 100MΩ 阻抗的電壓前置放大器來測量高達約 10 MΩ 的樣品電阻，記錄縱向和橫向電壓降以及源漏電流。

對于零磁場下 Haldane 模型的實驗證據(jù)部分，采用了與上述類似的雙柵極器件結(jié)構(gòu)，將 AB 堆疊的MoTe₂/Wse₂與CrBr₃（易軸二維鐵磁絕緣體）耦合，但引入后電接觸退化，因此進行磁性圓二色性（MCD）測量來探測自發(fā)時間反演對稱性破缺。

圖1 AB堆垛MoTe₂/Wse₂莫爾雙層

圖2 ν=2時的量子自旋霍爾絕緣體

圖3 磁場誘導Haldane Chern絕緣體

圖4 Chern絕緣體的溫度依賴性

低溫強磁場納米精度位移臺

attocube公司生產(chǎn)的位移器設計緊湊，體積小巧，種類包括線性XYZ線性位移器、大角度傾角位移器、360度旋轉(zhuǎn)位移器和掃描器，并以穩(wěn)定而優(yōu)異的性能，原子級定位精度，納米位移步長和厘米級位移范圍受到科學家的肯定和贊譽。產(chǎn)品廣泛應用于普通大氣環(huán)境和環(huán)境中，包括超高真空環(huán)境(5E-11mbar)、極低溫環(huán)境（10 mK）和強磁場中（31 T）。

圖5 attocube低溫強磁場位移器，掃描器

【參考文獻】

[1]. Zhao, W., Kang, K., Zhang, Y. et al. Realization of the Haldane Chern insulator in a moiré lattice. Nat. Phys., 2024. https://doi.org/10.1038/s41567-023-02284-0

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