SiC 清洗機采購到貨了，我們需要的是盡快讓它使用起來，一旦運轉才能給生產(chǎn)生活帶來幫助。那么到底具體的SiC 清洗機使用方法是什么呢？

小編為大家準備了一份詳細、完整的SiC清洗機使用方法

預處理：

去除有機物和雜質：在進行正式的清洗之前，需要對SiC晶圓進行預處理，以去除表面的有機物和雜質。常用的預處理方法包括超聲波清洗、酸洗（如使用稀鹽酸或稀硫酸等）和堿洗（如使用氫氧化鈉溶液等）。超聲波清洗可以利用超聲波的高頻振動作用，使污染物從晶圓表面脫落；酸洗可以溶解晶圓表面的有機物和無機雜質，而堿洗則可以去除酸洗殘留物和中和酸洗帶來的腐蝕。

主要清洗步驟： 

RCA清洗法

將30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中，邊攪拌邊緩慢加入10mlH2O2，將SiC單晶樣品放入混合液中，恒溫加熱30min。 

用DI水沖洗3min左右，將樣品表面的混合液沖洗干凈，然后用N2吹干。 

將30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中，然后加入10mlNH3OH和10mlH2O2，將樣品放入混合液中，恒溫加熱20min。之后再次用DI水沖洗，并用N2吹干。

將30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中，然后加入10mlHCl和10mlH2O2，將樣品放入混合液中，恒溫加熱20min。最后用DI水沖洗，并用N2吹干。 

SPM單步清洗法： 

將30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中，然后邊攪拌邊緩慢加入10mlH2O2，將SiC單晶樣品放入混合液中，恒溫加熱30min。之后用DI水沖洗3min左右，將樣品表面的混合液沖洗干凈，再用N2吹干。該方法主要作用是去除樣品表面的有機物。 

實驗用清洗劑+SPM兩步清洗法： 

用干凈的電動牙刷蘸取適量實驗用清洗劑刷洗SiC單晶樣品5min。然后用DI水沖洗3min，將樣品表面的清洗劑沖洗干凈。 

將樣品置于實驗用清洗劑的稀釋溶液（實驗用清洗劑：DI水=1：100）中超聲20min。之后用DI水沖洗3min，再在DI水中超聲10min。再用DI水沖洗3min，并用N2吹干。 

將30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中，然后邊攪拌邊緩慢加入10mlH2O2，將SiC單晶樣品放入混合液中，恒溫加熱30min。之后用DI水沖洗3min左右，將樣品表面的混合液沖洗干凈，再用N2吹干。

后處理及儲存：

清洗完成后，要對SiC晶圓進行適當?shù)暮筇幚?。例如，如果后續(xù)需要進行蝕刻等工藝，可能需要對晶圓表面進行特定的處理或修飾。同時，清洗后的SiC晶圓應儲存在密封的聚四氟乙烯容器中，防止再次受到污染。