對于一般PCBA來說，回流焊后為避免引入應力，通常是采用的小功率切割機手動切割、經環(huán)氧樹脂冷鑲嵌后使用碳化硅砂紙從粗到細進行研磨，使用P1200砂紙定位到觀察位置，繼而3μm金剛石拋光液拋光以及使用0.05μm氧化鋁拋光液最終拋光，即可得到無劃痕的表面效果。

陶瓷基板焊接在陶瓷系統板后，因其硬度較高，無法再進行手動切割，需使用更大功率的精密切割機進行切割。

因有芯片與焊膏，陶瓷基電路板不適合采用熱壓鑲嵌的方式進行樣品鑲埋，需要采用冷鑲嵌的方式進行樣品鑲嵌，推薦使用環(huán)氧樹脂。

相比于丙烯酸樹脂，環(huán)氧樹脂具有粘度低、流動性好、放熱溫度較低等特點，可以很好的填充樣品中的縫隙空洞，表面張力低可與樣品表面充分潤濕，避免鑲嵌后出現縫隙。

粗研磨時因陶瓷基板硬度很硬，若使用常規(guī)碳化硅或氧化鋁砂紙研磨樣品時，會出現陶瓷部分磨不動而其他材料部分被去除的現象，造成砂紙浪費與樣品的浮凸。

金剛石磨盤是將不同粒徑的金剛石和樹脂充分混合后加熱固化到基底上， 非常適合研磨陶瓷、硬質合金等超硬材料。

磨盤按照粘結材料的不同分為以下幾種：

1. 金屬粘結金剛石磨盤，適合超硬金屬。
2. 樹脂粘結金剛石磨盤（有花樣），樹脂固化成一定形狀，適合絕大多數陶瓷材料，壽命較長。但因其花樣的存在，粗研磨時脆性材料時容易造成碎裂。

3. 樹脂粘結金剛石磨盤（平面），適合硬材料和易碎材料組合。 

粗磨時可使用有花樣的磨盤（磨盤壽命較長），細磨使用平面的磨盤（去除芯片嚴重的碎裂部分）。

拋光關鍵步驟為3μm，研磨和粗拋光產生的碎裂和裂紋需要在此步驟去除，視具體情況拋光時間約4~8分鐘。

具體工藝見下表：