當PLEIGER反饋開關1206 9321209620管截止后因漏感引起的振玲會隨漏感的增大而使電壓跌得更低,
更低的電壓回復需要更長的時間,
VDS的波形此時和VCC的波形是同步的,
PSR檢測電壓是通過IC內部延時4~6uS避開這個振玲來檢測后面相對平滑的電壓,
電壓恢復時間過長導致IC檢測開始時檢測到的是振玲處的電壓,
最總導致的結果是輸出電壓不穩(wěn)定,甚至蕩機。
當然也有因變壓器漏感比較小,無此電阻也可以正常工作,但一致性較難控制。
此電阻的取值與RCD回路和EMC噪音有關,
一般建議取值為150~510R,推薦使用220~330R,D2建議使用恢復時間較慢的1N4007
具體可根據(jù)漏感結合RCD來調試。
2. Vcc供電和電壓檢測回路,即:D3,R3,R4,R10,C2
R4與R10的取值是根據(jù)IC的VFB來計算的。
但阻值取值對一般USB直接輸出的產(chǎn)品來說,以IFB=0.5mA左右來計算。
若為帶線式產(chǎn)品,因考慮到線損帶來的負載調整率差,
可保持VFB電壓不變,同時增大R4和R10的阻值,減小IFB的電流,
具體IFB的電流取值需根據(jù)輸出線材的壓降來調試,
如設計為5V/1A的產(chǎn)品,假設輸出空載為5.10V,
調試的最佳狀態(tài)是負載0.5A時,輸出電壓達,如4.90V,
再增加負載,電壓會因IC內部補償功能喚醒使輸出電壓回升,
當負載達到1.0A時,輸出電壓回升到5.10V左右。
之前有做過一款輸出5V/1A線長3.5米的產(chǎn)品,設計時IFB=0.15mA,
輸出空載在5.15V左右,負載0.5A時輸出為4.85V左右,負載1A時輸出為5.14V左右。
聽很多PSR IC的FAE說過,PIN1腳的C5也有此功能,但實際應用效果不明顯。
D3應該大家都知道要用恢復時間較快的FR107。
R3和C2需取相對較小的值,
R3在VCC供電回路鐘有一定的抗沖擊和干擾的作用,但相對PWM線路來講,其取值需相對較小,不大于10R,一般取2.2~4.7R。
C2取值不大于10UF,一般取4.7UF。
因為電源開啟和負載切換時,VFB的電壓會因C2的容量增大和R3的限流作用導致拉低,從而使輸出產(chǎn)生電壓尖峰。
若更嚴重得導致PSR延時檢測開啟而VFB電壓仍未建立,輸出的電壓尖峰會更高。
3. 輸出回路,即:C3,C7,D5,R11,LED1
R11和LED1是輸出的假負載,為避免IC在空載進入間歇模式導致輸出電壓不穩(wěn)定而設置的。
D5的作用是防止回授失效而設置的過壓保護,一般取值為6.2V。
C3,C7不僅是輸出濾波,而且需有足夠的容量來防止PSR IC在延時檢測未開啟前輸出電壓不受控而過沖。
若容量不夠,會導致輸出電壓過沖而被D5鉗位,被D5鉗位到6.2V后會導致反饋線圈的電壓也上升,從而出現(xiàn)輸出電壓持續(xù)在6.2V左右,且有功率損耗,D5會嚴重發(fā)熱,但不會馬上損壞。
曾經(jīng)有人把這個D5去掉了,測試發(fā)現(xiàn)電容容量小導致的過沖現(xiàn)象有,但過沖后的電壓因為沒有D5鉗位而正常了,
無Y不影響輸出紋波,PSR線路的紋波一般都很小,這也是輸出端不用加差模電感的主要原因,5V/1A一般控制在100mV以內是沒問題的,如果對紋波沒有要求,量產(chǎn)品一般在65~85mV之間,如果采用稍好些的LOW ESR的電容,在50mV以內也是沒問題的。
1. 因為IC是內阻圖騰驅動MOS的,MOS導通需要10V以上,所以圖騰的電壓要高于10V,但因為圖騰是直接驅動MOS的,驅動電壓太高不僅會增加驅動的損耗而且會使EMI變差,IC的VCC和內部的圖騰是相連的,所以VCC的電壓建議取15V左右,保證在空載是最小值要大于10V。
2. 分壓電阻的VFB在IC的規(guī)格書上是定義2.0V的,實際因為漏感的影響和考慮到線損不補償,所以還是需要再調節(jié)的。
線損的補償是會導致輸出電容端的電壓增大,但VFB不會變?yōu)?.1V,因為這里的2.1是有效值,舉個例:如果你的VFB分壓電阻有原來的100K:10K變?yōu)?0K:1K,此時的VFB有效值電壓是不變的,但峰值電壓會變小。在IC的規(guī)格書中沒有仔細的說明,我的理解是這樣的,VFB端在IC內部是有一個固定的RC電路再進入比較器比較的,所以在保持VFB電壓不變的情況下,可以通過同時增大VF端的分壓電阻來調節(jié)補償電源,但分壓比例會有受VF端內部的RC影響而有偏差,比如:要使輸出電壓為5.0V,原本采用的分壓電阻為10K和1K,同時增大分壓電阻后,要使輸出電壓仍在5.0V,分壓電阻可能會是90K和10K,而不是100K和10K。
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