SICK傳感器靈敏度和線性度是傳感器*重要的兩個性能指標。為了制作出能夠滿足實際應用需求的壓力傳感器，必需探索出一種壓力傳感器靈敏度和線性度的有效仿真方法。提供了一種基干對壓陰式壓力傳感器薄膜表面應力的有限元分析(FEA)和路徑積分的仿真方法，從而實現(xiàn)了在滿量程范圍內(nèi)不同壓力值下對傳咸器電壓輸出值的估計，在此基礎上對壓力傳咸器的靈敏度和線件度進行了有效仿真。微壓傳咸器發(fā)展訊速，新研制出的一類SICK傳感器由干采用壓電單品片結構，并內(nèi)置前置放大器，放大微弱信號并實現(xiàn)目抗變換，從而使傳感裝具有量程小，靈敏度高，抗干擾件好等特點。這類傳咸器已廣泛用干脈搏，管壁壓力波動等微小信號的檢測，因此，迫切需要一種簡便的測量裝置測量傳感器的性能。

為了解決微SICK傳感器靈敏度和非線性的矛盾，在結構上，綜合梁膜結構與平膜雙島結構的優(yōu)點，采用雙島-梁結構。島區(qū)的面積不是按比例放大或縮小。首先，為了增加靈敏度，應盡可能減小窄梁區(qū)的長度和寬度。因為從對梁-膜-島結構的有限元分析和近似解析分析中發(fā)現(xiàn)減小窄梁區(qū)的長度和寬度可以明顯地使梁上的應力增大。并且當中間窄梁的長度約為兩邊窄梁長度的2倍時，器件的線性度*。雖然有雙島限位結構，但在高過載情況下，硅膜將首先從島的邊區(qū)和角區(qū)破裂。這是因為傳統(tǒng)的島膜結構都是采用常規(guī)的有掩模的各向異性濕法腐蝕，從硅片背面形成硅膜和省島。硅膜是晶面，邊框和省大島側面都是晶面，夾角為54.74°的銳角。根據(jù)力學原理，在角區(qū)存在應力集中效應，使硅膜在正面或背面受壓以后，角區(qū)會具有應力的極值，因此破裂首先從該處發(fā)生。引入應力勻散結構以后，使角區(qū)變成具有一定曲率的圓角區(qū)，使該區(qū)的應力極值下降。在硅膜與邊框或背島的交界外要形成有一定曲率半經(jīng)的緩變結構，采用一般的常規(guī)各向異性濕法腐飩是無法實現(xiàn)的，為此，采用了掩模-無掩模各向異性混法腐飩技術。

在給定輸入壓力信號后，若變送器輸出過高(大干10VDC)，或輸出過低(小干2.0VDC)，目改變輸入壓力信號和調(diào)整零點，量程螺制時輸出均無反應。對于這類故障，除檢查變送器測量部分敏感部件有無異常外，應檢查變送器放大器板上“振蕩控制電路部分”工作正常與否。高頻彎壓器T1-12之間正常峰值電壓應為25~35VP-P頻率約為32kH7，其次檢查放大器板上各運算放大器的工作狀況各部分的元器件有無捐壞問題筆，此半故障重要更掙放大器板，變送器在線路設計和工藝裝配質(zhì)量上要求都十分嚴格，在實際使用中對出現(xiàn)的線路故障，經(jīng)檢查確認后*與生產(chǎn)廠家聯(lián)系更換其故障線路板，以確保儀表長期工作的穩(wěn)定性和可靠性。

現(xiàn)場故障檢查施工現(xiàn)場出現(xiàn)的故障，絕大多數(shù)是由干壓力傳威器使用和安裝方法不當引起的，歸納起來有幾個方面。1一次元件(孔板，遠傳測量接頭等)堵塞或安裝形式不對，取床點不合理。2引床管泄漏或堵塞，充液管里有殘存氣體或充氣管里有殘存液體，變送器過程法蘭中存有沉積物，形成測量死區(qū)。3.變送器接線不正確，電源電壓過高或過低，指示表頭與儀表接線端子連接處接觸不良。4.沒有嚴格按照技術要求安裝，安裝方式和現(xiàn)場環(huán)境不符合技術要求。