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Aston™ 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕3D NAND 存儲器
Aston™ 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲器
3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston™ 質(zhì)譜分析儀適用于*半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實時過程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程; 蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔.
3D NAND 工藝概述
工藝步驟
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ASTON 優(yōu)勢
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工藝步驟
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ASTON優(yōu)勢
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來源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016)
Aston™ 質(zhì)譜儀優(yōu)勢
ppb 級靈敏度的高速采樣
非常適合高縱橫比的 3D 結(jié)構(gòu)
耐腐蝕性氣體, 堅固緊湊
易于集成到工具平臺中
沉積應(yīng)用中: 實時過程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程
蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔
Atonarp Aston™ 技術(shù)參數(shù)
類型 | Impact-300 | Impact-300DP | Plasma-200 | Plasma-200DP | Plasma-300 | Plasma-300DP |
型號 | AST3007 | AST3006 | AST3005 | AST3004 | AST3003 | AST3002 |
質(zhì)量分離 | 四級桿 | |||||
真空系統(tǒng) | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
檢測器 | FC /SEM | |||||
質(zhì)量范圍 | 2-285 | 2-220 | 2-285 | |||
分辨率 | 0.8±0.2 | |||||
檢測限 | 0.1 PPM | |||||
工作溫度 | 15-35“℃ | |||||
功率 | 350 W | |||||
重量 | 15 kg | |||||
尺寸 | 299 x 218 x 331 LxWxH(mm) | 400 x 240 x 325 LxWxH(mm) | ||||
若您需要進一步的了解 Atonarp Aston™ 在線質(zhì)譜分析儀詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 羅先生
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