在系統(tǒng)中，由于感性負載的存在，在換流時，電感兩端會產(chǎn)生很大的反電勢。這個異常電壓加在晶閘管兩端，容易引起晶閘管損壞。為了防止這種情況，通常采用浪涌電壓吸收電路。 dv/dtdi/dt效應問題:晶閘管的斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt較大的時候，有可能在比它的正向轉(zhuǎn)折電壓低得 很多的電壓下導通。如果電路上的dv/dt超過器件許的dv/dt值時，閘管就會誤導通而失去阻斷能力。在應用電路中，將晶閘管的門極通過電阻與陰極相連，從外部將位移電流旁路掉，以防止dvidt引起的誤導通， di/dt過大容易造成晶閘管擊穿，在電路中采用前沿陡的高電平觸發(fā)以增大 初始導通面積，從而改善di/dt容量。 由于dv/dt過大引起的誤導通和di/dt過大引起的晶閘管擊穿現(xiàn)象，其后果是十分嚴重的。通過原理電路可以 

看出，這種情況的出現(xiàn)會使變床器短路而產(chǎn)生“環(huán)流”，造成晶閘管其變床器的拐壞，在電路設計中，采用可靠的晶閘管通斷檢測措施，避免這種現(xiàn)象的發(fā)生。

過電壓、過電流保護措施: 過電壓的產(chǎn)生，主要有以下原因: 

(1)變壓器投入時的浪涌電壓

(2)變壓器抽頭轉(zhuǎn)換時產(chǎn)生的浪涌電壓(3)雷擊侵入時的浪涌電壓

(4)直流回路斷開時產(chǎn)生的浪涌電壓。 在電路中，加入浪涌吸收器可以吸收變壓器一系統(tǒng)電磁轉(zhuǎn)移而侵入的浪涌電壓，同時還能吸收變壓器 通斷時產(chǎn)生的磁能。為避免雷擊侵入產(chǎn)生的浪涌電壓，可采用半導體避雷器。 消除環(huán)流是該穩(wěn)壓器的一大關(guān)鍵問題，為了解決這一難題，我們 采取了如下技術(shù)措施:

(1)確保晶閘管的觸發(fā)信號可靠。利用軟件濾波程序使輸出觸發(fā)控制信號每組只有一個有效，其利用74LS273和研制的防環(huán)流邏輯電路

(PAL16V8)，以確保即使單片機失控的情況下也不會出現(xiàn)誤觸發(fā)

另外，觸發(fā)信號引線采用屏蔽線等措施，防止干擾

(2)確保轉(zhuǎn)換可靠。在正常工作時，經(jīng)常要改變補償電壓的大小，即要調(diào)整晶閘管的導通組合，如:使S1導通換為S2導通，則必須在關(guān)斷S1的同時給S2觸發(fā)控制信號，實現(xiàn)晶閘管的轉(zhuǎn)換。如果轉(zhuǎn)換的時機或者組合不當就會形成環(huán)流，損壞晶閘管。在設計中采用了零點切換技術(shù)，即在電流過零時讓S1自然關(guān)斷，同時觸發(fā)S2使其導通。由此可見，在轉(zhuǎn)換過程中關(guān)鍵的是準確檢測電流過零信號。為此，采取軟、硬件結(jié)合及互鎖技術(shù)，確零信號的準確無誤。實際運行表明:上述技術(shù)成功地解決了環(huán)流問題。 感性負載的影響:由于感性負載的存在，應考慮加大觸發(fā)脈沖寬度，否 則晶閘管在陽極電流達到整住電流之前，觸發(fā)信號減弱，可能會造成晶閘管不能正常導通。在關(guān)斷時，感性負載也會給晶閘管造成一些問題。