CVD&PECVD簡介

什么是CVD？

 CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱?；瘜W氣相沉積(CVD)是半導體工業(yè)中應用較為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

 反應室中的反應是很復雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的:反應室內的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學成份、一種氣體相對于另一種氣體的比率、反應的中間產(chǎn)品起的作用、以及是否需要其它反應室外的外部能量來源加速或誘發(fā)想得到的反應等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產(chǎn)生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。

 CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。

上海高科達電爐有限公司主營CVD氣相沉積爐，PECVD氣相沉積爐等高溫電爐設備。