影響介質(zhì)損耗測量的因數(shù)，介質(zhì)損耗使用方法及tanδ偏大的原因分析，影響介質(zhì)損耗測量的因數(shù)來自于慮本電力檢測試驗(yàn)技術(shù)，慮本電力致立研發(fā)標(biāo)準(zhǔn)、穩(wěn)定、安全的電力試驗(yàn)設(shè)備。

介質(zhì)損耗測試的要求

在電力預(yù)防性試驗(yàn)項(xiàng)目中，針對變壓器電壓等級為35kv及以上并且容量在8000kvA及以上的電力變壓器，要求測量變壓器的介質(zhì)損耗角正切值tanδ，是電氣設(shè)備交接試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)中明確規(guī)定，測量結(jié)果必須符合以下要求：

被測繞組的tanδ值不大于產(chǎn)品出廠試驗(yàn)值的130%;

影響介質(zhì)損耗測量的因數(shù)

溫度影響：首先明確的說，溫度對介質(zhì)損耗測量結(jié)果有直接的影響，影響的程度隨著絕緣材料，設(shè)備結(jié)構(gòu)的不同而異，一般情況，tanδ會隨著溫度的升高而變大，測量過程中應(yīng)當(dāng)將在不同溫度下測量得出的結(jié)果換算至20℃時，在進(jìn)行比較。

受試驗(yàn)電壓的影響： 理論情況下，良好絕緣的tanδ不隨試驗(yàn)電壓的升高而明顯增長，如果內(nèi)部有缺陷，則tanδ值會隨試驗(yàn)電壓的升高而明顯增長

tanδ與試品電容的關(guān)系影響：對于電容較小的設(shè)備（套管、互感器、耦合電容器等）測量tanδ值有效的發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷，但是對于電容量較大的設(shè)備，測量介質(zhì)損耗只能發(fā)現(xiàn)絕緣的整體分布性缺陷，原因是因?yàn)?，局部集中性的缺陷引起的損耗增加只占總損耗的極小部分，這也是tanδ不能反應(yīng)大容量被試品局部集中性缺陷的原因，也是大型變壓器除了測量本體介質(zhì)損耗之外還需要測量單套管tanδ的原因。

下圖是介質(zhì)損耗角正切值tanδ(%)溫度換算系數(shù)表：

tanδ偏大的原因分析

陶瓷表面受潮，瓷套表面電阻的大小直接影響介質(zhì)損耗測量的準(zhǔn)確度，主要是因?yàn)楸砻骐娮枧c體積電阻并聯(lián)在一起，當(dāng)采用介質(zhì)損耗測試儀反接法時, 介質(zhì)損耗tanδ值會偏大，所以在測量之前，用干毛巾，電吹風(fēng)或者遠(yuǎn)紅外烘烤表面，也可以用揮發(fā)性較強(qiáng)的液體清洗表面，可以有效的預(yù)防tanδ值偏大的問題。

電場干擾，干擾電流與被試電流之間的干擾，使tanδ測量結(jié)果大于實(shí)際值，此時，應(yīng)當(dāng)采用試驗(yàn)電源移項(xiàng)法測量tanδ值，建議用抗干擾介質(zhì)損耗測試儀或者異頻介質(zhì)損耗測試儀進(jìn)行測量。

被試品Cx接地回路不良也會影響值的大小。