HBM利用將DRAM層層堆疊來(lái)提升存儲(chǔ)器帶寬，是一種立方體的3D裝置。目前HBM僅打入少數(shù)高階系統(tǒng)，但在數(shù)據(jù)密集的工作負(fù)載如游戲和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用逐漸獲得重視。當(dāng)前的HBM技術(shù)仍無(wú)法滿足未來(lái)的帶寬需求，因此供應(yīng)商正研究數(shù)個(gè)新技術(shù)。其中包括采用HBM2E規(guī)格的新版HBM目前已經(jīng)送樣，下一個(gè)版本HBM3仍處于研發(fā)階段。

HBM通常出現(xiàn)于2.5D的高階封裝類(lèi)型，其它封裝選項(xiàng)如扇出式和橋接也使用這種技術(shù)。在研發(fā)上，供應(yīng)商正使用新的接合方式來(lái)打造*HBM，并且也開(kāi)發(fā)新的3D DRAM技術(shù)，即所謂的3DS(3顆芯片堆疊)DRAM。

目前技術(shù)研發(fā)工作聚焦的重點(diǎn)在于突破當(dāng)前封裝的限制。例如2.5D的微凸塊是相當(dāng)微小的架構(gòu)，引腳間距僅40微米(μm)，未來(lái)間距可能縮小至20μm，甚至10μm，然后突塊和支柱長(zhǎng)寬比例變得難以控制。所以在20μm到10μm時(shí)，產(chǎn)業(yè)需要新的互連解決方案，例如銅混合接合(copper hybrid bonding)，利用銅對(duì)銅直接對(duì)街技術(shù)，如此將可省略凸塊和支柱。

這將催生新等級(jí)2.5D封裝、3D-IC和HBM，時(shí)間很可能落在2021年或更早。銅對(duì)銅直接對(duì)接并非新技術(shù)，多年來(lái)已被用于CMOS影像傳感器(CIS)，但移入*封裝堆疊卻是一項(xiàng)挑戰(zhàn)，而且涉及復(fù)雜的制造流程。

臺(tái)積電等制造廠仍投入開(kāi)發(fā)銅接合技術(shù)，也有業(yè)者藉助Xperi的「直接對(duì)接互連」(Direct Bond Interconnect；DBI)技術(shù)，能讓間距縮小至1μm。混合接合技術(shù)能用來(lái)連接兩個(gè)晶圓，或?qū)⑿酒B接到晶圓上?，F(xiàn)在供應(yīng)商正研究利用混合接合技術(shù)開(kāi)發(fā)新形式的HBM，例如低輪廓16晶粒堆疊或3DS堆疊，臺(tái)積電則有4層堆疊技術(shù)。

由此可知HBM有幾種封裝選項(xiàng)，此技術(shù)并非適用于所有應(yīng)用，例如對(duì)于體積小的裝置HBM不會(huì)取代DRAM，但對(duì)高性能應(yīng)用HBM卻越來(lái)越重要，未來(lái)的問(wèn)題將是，HBM技術(shù)能否趕上處理數(shù)據(jù)需求增加的速度。

SomatXR MX460B-R - 堅(jiān)固型頻率和脈沖測(cè)量模塊

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單機(jī)現(xiàn)場(chǎng)使用

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采樣率高達(dá)100 kS /通道

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