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利用ICP-MS對半導體級鹽酸中的雜質進行分析

閱讀:2422      發(fā)布時間:2017-5-23
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在半導體設備的生產(chǎn)過程中,許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中重要的是鹽酸(HCl),其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小,其生產(chǎn)中使用的試劑純度變得越來越重要,這是因為即使是少量雜質也會導致設備的失效。SEMI 標準規(guī)定的是金屬雜質的大濃度(SEMI 標準C27-07081 用于鹽酸),而半導體設備的生產(chǎn)商對雜質濃度的要求往往更加嚴格,這樣就給試劑供應商帶來了更大的挑戰(zhàn)。其結果是,分析儀器也必須能夠對更低濃度的雜質成分檢測。

電感耦合等離子體質譜(ICP-MS)具備測定納克/ 升(ng/L,PPT)甚至更低濃度元素含量的能力,是測量痕量及超痕量金屬的技術。然而,常規(guī)的測定條件下,氬、氧、氫離子會與酸基體相結合,對待測元素產(chǎn)生多原子離子干擾。

珀金埃爾默公司的NexION® 2000 電感耦合等離子體質譜儀(ICP-MS)可提供多種*消除多原子離子干擾的方式。具有三路氣體通道的通用池在反應模式下具備大的做樣靈活性。由于通用池是由四極桿組成的,具備四極桿的所有功能,包括通過調整四極桿的“q”參數(shù)控制通用池中的化學反應進行。這一優(yōu)勢使得在池內使用高反應性氣體成為可能,這大大提高了干擾去除的能力。在三路氣體通道可用的情況下,三種不同的氣體可以在同一次進樣中自由切換,得以選擇出針對某一特定干擾消除的*反應氣體。在鹽酸分析中,除去氯的干擾是至關重要的,目前有效的反應氣是100% 高純氨氣和100% 高純氧氣。

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