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珀金埃爾默ICP-MS測定硅晶片中的雜質(zhì)(Mo 和 Cd)

閱讀:304      發(fā)布時間:2019-07-11
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由于許多重要的待測元素在使用電感耦合等離子體 質(zhì)譜儀(ICP-MS)分析時會受到等離子產(chǎn)生的分子 和同質(zhì)異位素的干擾(如:ArO+,ArH+,和Ar+), 因此對許多重要的待測元素的分析都很困難,這進 一步增加了分析硅雜質(zhì)的難度和復(fù)雜性。通過向通 用池中通入適當?shù)牡土髁糠磻?yīng)氣和使用*的動態(tài) 帶通調(diào)諧(DBT)的功能,就能夠在離子束進入四 級桿質(zhì)譜前用化學(xué)方法將干擾去除,而這兩個功能 都是PerkinElmer公司的NexION® 300 ICP-MS所兼具 的。

 

NexION 300 ICP-MS的另一個優(yōu)點是能夠一直在 強勁的高溫等離子體狀況下運行,從而有效分解樣品 基質(zhì)。此外,NexION 300 ICP-MS能夠在一次分析運 行中,同時包括使用反應(yīng)模式(使用反應(yīng)氣)分析和 使用標準模式(不使用反應(yīng)氣)分析的元素,這就不 需要分析兩次樣品或使用兩種不同的等離子條件。儀 器的軟件可以將兩種模式(反應(yīng)模式和標準模式)得 到的結(jié)果合并,并在一份報告中打印出來。

提供商

珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司

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