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深圳市泰立儀器儀表有限公司

當(dāng)前位置:深圳市泰立儀器儀表有限公司>>工業(yè)無損檢測>>探傷儀探頭>> A133S-RM奧林巴斯超聲波探傷儀單晶探頭

奧林巴斯超聲波探傷儀單晶探頭

訂       金: 5600

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號A133S-RM

品牌OLYMPUS/奧林巴斯

廠商性質(zhì)代理商

所在地深圳市

更新時(shí)間:2022-12-01 09:00:36瀏覽次數(shù):1305次

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 1千-1萬
應(yīng)用領(lǐng)域 電子,航天,電氣,綜合
奧林巴斯超聲波探傷儀單晶探頭A133S-RM,接觸式探頭是一種可與被檢工件直接接觸的單晶縱波探頭。

奧林巴斯超聲波探傷儀單晶探頭A133S-RM
 

接觸式探頭是一種可與被檢工件直接接觸的單晶縱波探頭。

 

優(yōu)勢
• WC-5防磨板增加了這種探頭的耐用性、抗裂性及防磨性。
• 所有這類探頭都可用于檢測面粗糙的工業(yè)部件。
• 具有與大多數(shù)金屬匹配的近似聲阻抗。
• 可用于檢測多種材料。

 

應(yīng)用

• 垂直聲束缺陷探測和厚度測量。
• 分層缺陷的探測和定量。
• 材料特性評價(jià)和聲速測量。
• 檢測平板、坯材、棒材、鍛件、鑄件、擠壓成形件及其它金屬與非金屬部件。
• 可在50°C(122°F)的高溫下持續(xù)使用。


 

 

奧林巴斯超聲波探傷儀單晶探頭A133S-RM

 

頻率標(biāo)稱
晶片尺寸
探頭
工件編號
MHz英寸毫米ACCUSCAN-SCENTRASCANVIDEOSCAN
0.51.0025A101S-RM-V101-RM
11.0025A102S-RM-V102-RM
0.7519A114S-RM-V114-RM
0.5013A103S-RM-V103-RM
2.251.0025A104S-RM-V104-RM
0.7519A105S-RM-V105-RM
0.5013A106S-RMC106-RMV106-RM
0.37510A125S-RMC125-RMV125-RM
0.256A133S-RMC133-RMV133-RM
3.51.0025A180S-RM--
0.7519A181S-RM-V181-RM
0.513A182S-RM-V182-RM
0.37510A183S-RM-V183-RM
0.256A184S-RM--
51.0025A107S-RM-V107-RM
0.7519A108S-RM-V108-RM
0.5013A109S-RMC109-RMV109-RM
0.37510A126S-RMC126-RMV126-RM
0.256A110S-RMC110-RMV110-RM
0.1253--V1091
7.50.5013A120S-RM--
0.37510A122S-RM-V122-RM
0.256A121S-RM-V121-RM
100.5013A111S-RM-V111-RM
0.37510A127S-RM-V127-RM
0.256A112S-RM-V112-RM
0.1253--V129-RM
150.256A113S-RM-V113-RM
200.1253--V116-RM

 

 

奧林巴斯超聲探頭選擇

 

接觸式探頭:

接觸式探頭是一個(gè)通常可生成縱波且與被測樣件直接接觸的單晶探頭。所有接觸式探頭都裝有WC-5防磨面,不僅具有超級防磨效果,可以延長探頭壽命,還可以提供適合于大多數(shù)金屬的的聲阻抗。

 

接觸式探頭是一種可與被檢工件直接接觸的單晶縱波探頭。

 

優(yōu)勢

WC-5防磨板增加了這種探頭的耐用性、抗裂性及防磨性。

• 所有這類探頭都可用于檢測面粗糙的工業(yè)部件。

• 具有與大多數(shù)金屬匹配的近似聲阻抗。

• 可用于檢測多種材料。

 

應(yīng)用

• 垂直聲束缺陷探測和厚度測量。

• 分層缺陷的探測和定量。

• 材料特性評價(jià)和聲速測量。

• 檢測平板、坯材、棒材、鍛件、鑄件、擠壓成形件及多種其它金屬與非金屬部件。

• 可在50°C122°F)的高溫下持續(xù)使用。

 

指尖接觸式

• 大于6毫米(0.25英寸)的探頭帶有凸節(jié),便于抓取。

303不銹鋼外殼。

• 薄外形的特點(diǎn)便于檢測難于接觸到的表面。

• 根據(jù)客戶的要求,可免費(fèi)提供用于方便抓取探頭的可拆裝塑料套筒。

6毫米(0.25英寸)套筒的工件編號為CAP4;3毫米

0.125英寸)套筒的工件編號為CAP8。

• 標(biāo)準(zhǔn)配置為直角連接器,并適用于Microdot連接器。

 

 

 

雙晶探頭:

雙晶探頭包含兩個(gè)縱波晶片(一個(gè)用作發(fā)送器,另一個(gè)用作接收器),兩個(gè)晶片裝于同一個(gè)外殼中,但中間有一層隔音屏障。每個(gè)晶片都稍微向另一個(gè)晶片傾斜,目的是使從工件底面反彈的信號以V形聲程傳播。雙晶探頭在檢測嚴(yán)重腐蝕的工件時(shí)一般都能提供更穩(wěn)定的讀數(shù),而且還可用于高溫環(huán)境。

 

雙晶探頭在同一個(gè)外殼中裝有由隔音屏障分開的兩個(gè)晶片。一個(gè)晶片發(fā)射縱波,另一個(gè)晶片作為接收器接收聲波。要了解有關(guān)用于MG237系列測厚儀的探頭更詳細(xì)的情況請咨詢我們。

 

優(yōu)勢

• 改進(jìn)了近表面的分辨率。

• 避免了高溫應(yīng)用所需的多延遲塊。

• 在粗糙或彎曲表面上的耦合效果好。

• 減少了粗晶?;蛞咨⑸洳牧现械闹苯臃聪蛏⑸湓胍簟?/span>

• 將低頻單晶探頭的穿透性能與高頻單晶探頭的近表面分辨率性能結(jié)合在一起。

• 可與曲面工件外形相吻合,緊貼在工件的表面。

 

應(yīng)用

• 剩余壁厚測量。

• 腐蝕/侵蝕監(jiān)控。

• 焊縫覆蓋和覆層的粘膠/脫膠檢測。

• 探測鑄件和鍛件中的多孔性、夾雜物、裂紋及分層等缺陷。

• 探測螺栓或其它圓柱形部件中的裂紋。

• 等于或小于5.0 MHz的探頭可承受的最高溫度為425°C800°F);7.5 MHz10 MHz的探頭可承受的最高溫度為175°C350°F)。表面溫度在90°C200°F)到425°C800°F)的情況下,建議使用的占空因數(shù)為最多10秒鐘接觸,然后進(jìn)行最少1分鐘的空氣冷卻(不適用于袖珍雙晶探頭)。

 

 

角度聲束探頭:

角度聲束探頭是一種與楔塊一起使用的單晶探頭,可以所選的角度將縱波或橫波

發(fā)射到工件中。角度聲束探頭可以對工件中垂直入射接觸式探頭的超聲聲程無法到達(dá)的區(qū)域進(jìn)行檢測。角度聲束探頭一般用于焊縫檢測,因?yàn)槿绻褂脴?biāo)準(zhǔn)接觸式探頭,焊冠會(huì)擋住聲波,使聲波無法到達(dá)希望檢測的焊縫區(qū)域,而且一般的缺陷對準(zhǔn)操作會(huì)使角度聲束產(chǎn)生更強(qiáng)的反射信號。

 

角度聲束探頭是一種與楔塊一起使用的單晶探頭,可以向被測工件內(nèi)部發(fā)射折射橫波或縱波。

 

優(yōu)勢

• 三種材料制成的Accupath楔塊在提高了信噪比性能的同時(shí),

還表現(xiàn)出的防磨特性。

• 高溫楔塊可對熱材料進(jìn)行在役檢測。

• 用戶可根據(jù)需要定制楔塊,以得到非標(biāo)準(zhǔn)的折射角度。

• 具有可更換型和整合型兩種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

• 具有外形吻合性能。

• 可提供在鋁制材料中獲得標(biāo)準(zhǔn)折射角度的楔塊及整合組件設(shè)

計(jì)(參見第15頁)。

 

應(yīng)用

• 缺陷探測與定量。

• 要了解衍射時(shí)差探頭,請參閱第35頁。

• 檢測管道、管件、鍛件、鑄件,機(jī)加工部件和結(jié)構(gòu)部件上的焊縫缺陷或裂縫。

袖珍旋入式探頭

• 旋入式設(shè)計(jì),303不銹鋼外殼。

• 不同頻率的探頭顏色不同。

• 兼容于短接近、Accupath、高溫和表面波楔塊。

 

 

 

延遲塊探頭:

延遲塊探頭為單晶寬帶接觸式探頭,其特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是在探頭晶片前插有塑料或環(huán)氧材料制成的一個(gè)薄片。延遲塊改進(jìn)了工件近表面缺陷的分辨率,可以測量更薄的材料厚度,并能提供更精確的厚度測量結(jié)果。延遲塊可根據(jù)工件的表面幾何形狀緊貼在工件上,而且還可用于高溫應(yīng)用中。

 

可更換延遲塊探頭是一種單晶接觸式探頭,專門與可更換的延遲塊一起使用。

 

優(yōu)勢

• 強(qiáng)阻尼探頭加上延遲塊可以提供的近場分辨率。

• 較高的探頭頻率提高了分辨率。

• 直接接觸法可提高測量薄材料及發(fā)現(xiàn)細(xì)小缺陷的能力。

• 具有外形吻合性能,適用于曲面工件。

 

應(yīng)用

• 精確測厚。

• 垂直聲束缺陷探測。

• 對接觸區(qū)域有限的工件進(jìn)行檢測??筛鼡Q延遲塊探頭

• 每個(gè)探頭的配置都帶有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)延遲塊和一個(gè)固定環(huán)。

• 備有高溫延遲塊和干耦合延遲塊。

• 探頭及延遲塊端部之間需要耦合劑。

 

 

 

 

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