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當(dāng)前位置：研啟科學(xué)儀器（東莞）有限公司>> 電感耦合等離子體刻蝕ICP
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地深圳市
更新時間：2024-10-22 16:57:45瀏覽次數(shù)：79次
聯(lián)系我時，請告知來自 化工儀器網(wǎng)v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝
v 電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C
v ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm
v 應(yīng)用方向：
? III-V族材料的刻蝕工藝
? 固體激光器InP刻蝕
? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
? 射頻器件低損傷GaN刻蝕
? 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
? 類金剛石（DLC）沉積
? 二氧化硅和石英刻蝕
? 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
? 沉積高質(zhì)量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化等諸多其它用途
? 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
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