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日本NTT Innovative Devices二極管模塊FMB

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地天津市

更新時(shí)間:2024-08-16 15:55:51瀏覽次數(shù):144次

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價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,交通,汽車,電氣
組件類別 光源
IOD-FMB-18001模塊是應(yīng)用超低噪聲平方律檢測的理想選擇。獲得的電壓靈敏度在300GHz時(shí)高達(dá)2MV/W,在1THz時(shí)高達(dá)0.2MV/W。

噪聲等效功率(NEP)估計(jì)在300GHz時(shí)低至5.0pW/Hz0.5,在1THz時(shí)低至45pW/Hz 0.5。

NTT Innovative Devices二極管模塊FMB

產(chǎn)品型號:IOD-FMB-18001

產(chǎn)品介紹:

IOD-FMB-18001模塊是應(yīng)用超低噪聲平方律檢測的理想選擇。獲得的電壓靈敏度在300GHz時(shí)高達(dá)2MV/W,在1THz時(shí)高達(dá)0.2MV/W。

噪聲等效功率(NEP)估計(jì)在300GHz時(shí)低至5.0pW/Hz0.5,在1THz時(shí)低至45pW/Hz 0.5。

Femi-level managed barrier(FMB)二極管模塊是一種基于InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的超低噪聲太赫茲探測器。代替肖特基勢壘二極管(SBD)中的金屬/半導(dǎo)體界面,在FMB二極管中使用InGaAs/InP異質(zhì)界面(勢壘高度~100meV)。

此低勢壘高度提供低二極管差分電阻(Rd)以及二極管與寬帶蝴蝶結(jié)天線之間的良好阻抗匹配。

性能特點(diǎn):

異質(zhì)勢壘結(jié)構(gòu)由n-InGaAs、未摻雜的InP和n-InP層組成。由于高摻雜n-InGaAs中的費(fèi)米能級可以遠(yuǎn)高于導(dǎo)帶邊緣,這取決于載流子密度,異質(zhì)界面處的勢壘高度(ΦBn)可以降低到100meV或更小。由于低勢壘高度,F(xiàn)MB二極管產(chǎn)生約5.0pW/Hz0.5的良好NEP。

技術(shù)參數(shù):

 型號:IOD-FMB-18001

 模塊配置:帶運(yùn)算放大器的零偏置FMB二極管

 天線類型:自帶蝴蝶結(jié)天線

 透鏡類型和直徑:超半球形(直徑10mm)

 太赫茲帶寬:>200GHz

 前置放大器類型:低噪聲運(yùn)算放大器

 前置放大器帶寬:20Hz-15kHz

 輸出連接器:SMA(內(nèi)螺紋)

 電源:DC±5V

 產(chǎn)地:日本

噪聲等效功率(NEP):

 5pW/sqrt(Hz)@300GHz

 1000GHz時(shí)為45pW/sqrt(Hz)

電壓靈敏度:

 2MV/W@300GHz

 0.2MV/W@1000GHz


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