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當(dāng)前位置：天津瑞利光電科技有限公司>> E2V芯片DDR4
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地天津市
更新時間：2024-06-24 15:08:58瀏覽次數(shù)：178次
聯(lián)系我時，請告知來自 化工儀器網(wǎng)| 價格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 微流控芯片系統(tǒng) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣 |
產(chǎn)品名稱：E2V芯片DDR4
產(chǎn)品型號：DDR4
產(chǎn)品介紹
DDR4理想的伴侶芯片，適用于處理器、FPGA、SiP解決方案等太空級設(shè)備…4/8GB耐輻射DDR4內(nèi)存多芯片封裝（MCP）是一種高密度內(nèi)存解決方案，針對空間嵌入式系統(tǒng)和應(yīng)用。
這種空間級DDR4內(nèi)存能夠提高性能，同時占用小的板載空間——這在高度空間限制、密集的衛(wèi)星設(shè)計中肯定是有價值的。它可以與具有DDR4控制器的處理器和FPGA結(jié)合使用，也可以嵌入Teledyne e2v Space版本的Qormino通用計算平臺以及Space版本的LS1046四核處理器（QLS1046-4GB）。與DDR4內(nèi)存一起，提供了一個完整的輻射和應(yīng)用數(shù)據(jù)包，使設(shè)計師能夠快速開發(fā)他們的板，風(fēng)險小。
性能特點
l 非常小的占地面積：與使用分立組件相比，節(jié)省了板空間。
l 每立方英寸存儲容量非常高。
l 每立方英尺存儲帶寬非常高。
l 堅固耐用：焊接PBGA。
l 高信號完整性。
l 0.8毫米間距：無引線和有引線球選項。
l 適用于需要Mil Temp范圍、小形狀因數(shù)、非密封操作的高可靠性和空間應(yīng)用。
選型指南
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)地：英國
密度：4GB/8GB
總線寬度：72位（64位數(shù)據(jù)+8位ECC）
速度：高達(dá)2400 MT/s
模塊尺寸：15 mm x 20 mm x 1.92 mm
焊球數(shù)量：391
間距：0.8 mm
SEL-LET閾值：>60.88 MeV.cm2/mg
TID公差：100 krad（Si）
質(zhì)子：可獲得高達(dá)190MeV的數(shù)據(jù)
可編程CAS延遲：13,15,16,17,19
復(fù)位：異步
兼容封裝：SnPb和RoHS
重量：1.2 g+/-0.1 g
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