OPTO DIODE光電二極管SXUV100TF135

產(chǎn)品型號：SXUV100TF135

產(chǎn)品介紹

每個(gè)檢測器具有100mm²的有源面積和用于在12nm和18nm之間進(jìn)行檢測的直接沉積的薄膜濾波器。兩種探測器在13.5nm處都具有0.09A/W的典型響應(yīng)度，并且針對不同的電性能進(jìn)行了優(yōu)化。光電二極管非常適合用于激光功率監(jiān)測、半導(dǎo)體光刻和利用極紫外光的計(jì)量系統(tǒng)等應(yīng)用。SXUV100TF135針對更高速的反向偏置電壓操作進(jìn)行了優(yōu)化。該器件具有低電容，通常為260pF，反向偏置電壓為12伏。

性能特點(diǎn)

l 單個(gè)有效區(qū)域

l 檢測到1 nm

l 暴露于EUV/UV條件后的穩(wěn)定響應(yīng)

l 保護(hù)蓋板

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地：法國

擊穿電壓：25 V

配置：單個(gè)

模塊：否

包裝：陶瓷

包裝類型：陶瓷

光電探測器類型：PN

操作模式：光電導(dǎo)

波長范圍：18至80 nm

響應(yīng)時(shí)間：20 ns

反向電壓：25 V

光譜帶：紫外線

電容：220至350 pF

暗電流：8至25 nA

響應(yīng)性/感光度：0.08至0.1 A/W@13.5 nm

有效面積：100 mm2（10 mm x 10 mm）

工作溫度：-10至40℃

儲存溫度：-10至40℃

產(chǎn)品應(yīng)用

激光功率監(jiān)測

半導(dǎo)體光刻

計(jì)量系統(tǒng)