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大尺寸微通道板型光電倍增管

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地

更新時(shí)間:2023-11-28 12:08:58瀏覽次數(shù):389次

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大尺寸微通道板型光電倍增管Thelarge-areaMCP-PMT大面積微通道板型光電倍增管是一種將極微弱光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的真空電子器件,具有探測(cè)面積大、探測(cè)效率高等優(yōu)點(diǎn)


大尺寸微通道板型光電倍增管

The large-area MCP-PMT

大面積微通道板型光電倍增管是一種將極微弱光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的真空電子器件,具有探測(cè)面積大、探測(cè)效率高等優(yōu)點(diǎn)。本產(chǎn)品使用Sb-K-Cs陰極作為光電轉(zhuǎn)換陰極,該陰極對(duì)350-450nm 波段光子的轉(zhuǎn)換效率高;應(yīng)用微通道板作為電子倍增管系統(tǒng),可以實(shí)現(xiàn)107以上的電子增益,微通道板的倍增距離短,因而具有*的時(shí)間分辨率。

產(chǎn)品性能可以按客戶需求訂做,目前主要產(chǎn)品有8英寸和20 寸微通道板型光電倍增管。

The large-area MCP-PMT is a vacuum electronic device that converts extremely weak light signals into electrical signals. It is a large-area, high-detection efficiency electrostatic focusing photomultiplier tube with independent intellectual property rights. This product uses Sb-K-Cs cathode as a photoelectric conversion cathode, which has high quantum efficiency for photons in the 350-450nm wavelength; using a microchannel plate as an electron multiplier tube system, the superposition of two microchannel plates can achieve an electron gain of more than 107, The multiplication distance of the microchannel plate is short, so it has superior time resolution.

Product performance can be customized according to customer needs. At present, the main products are 8-inch and 20-inch MCP-PMT.

產(chǎn)品應(yīng)用

高能物理          High Energy Physics

產(chǎn)品特點(diǎn)

響應(yīng)快            Fast response

增益高            High Gain

噪聲低               Low Noise

單光子峰谷比好    Good single photon peak-to-valley ratio

技術(shù)參數(shù)

玻璃材料/Window material

硼硅/Borosilicate glass

光電陰極/Photocathode  material

Sb-K-Cs

倍增結(jié)構(gòu)/Multiplier structure

微通道板型/MCP


8英寸/8-inch

20英寸/20-inch


N6082(GDB-6082)

N6201(GDB-6201)

N6203(GDB-6203)



Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Unit

光譜范圍/Spectral range

290-650

nm

峰值波長(zhǎng)/QE Peak wavelength


380



380



380


nm

陰極積分靈敏度/photocathode luminious


90



90



90


A/lm

量子效率@405nm/QE


30



30



30


%

工作電壓/Supply voltage

1500

1750

2000

1500

1750

2000

1650

1900

2100

V

增益/Gain


1× 107



1× 107



1× 107



陽(yáng)極靈敏度/Anode sensitivity


900



900



900


A/lm

暗計(jì)數(shù)率/Dark count rate


10

25


30

100


20

60

kHz

單光電子譜峰谷比/Peak to valley ratio

2

7


3

7


2.5

4



能量分辨率/Charge resolution


35

50


35

60


40

60

%

上升時(shí)間/Rise time


1.4



1.4



1.4


ns

渡越時(shí)間離散/TTS


1.6



15



5


ns

后脈沖比例/After pulse ratio


1



1



1


%


N6082
(GDB-6082)
N6201
(GDB-6201)
N6203
(GDB-6203)
光譜響應(yīng)曲
Typical spectral response characteristics
坪曲線
Plateau characteristics
單光子譜曲線
Typical Single photoelectron spectrum

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