目錄:廣州市諾達(dá)電子有限公司>>固定式單一氣體報警儀 ND系列>> ND系列半導(dǎo)體廠房硅烷氣體泄漏檢測
| 參考價 | ￥1000-￥15000 | /件 |
參考價：￥1000 ~ ￥15000
更新時間：2024-08-24 08:39:11瀏覽次數(shù)：320評價
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電氣 |
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什么是硅烷氣體：
硅烷即硅與氫的化合物，是一系列化合物的總稱，包括甲硅烷( SiH4) 、乙硅烷( Si2H6) 和一些的硅氫化合物。目前應(yīng)用多的是甲硅烷。一般把甲硅烷簡稱做硅烷。
硅烷作為一種提供硅組分的氣體源，可用于制造高純度多晶硅、單晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、異質(zhì)硅、各種金屬硅化物。 因其高純度和能實現(xiàn)精細(xì)控制，已成為許多其他硅源無法取代的重要特種氣體。硅烷廣泛應(yīng)用于微電子、光電子工業(yè)， 用于制造太陽電池、平板顯示器、玻璃和鋼鐵鍍層， 并且是迄今世界上大規(guī)模生產(chǎn)粒狀高純度硅的中間產(chǎn)物。硅烷的高科技應(yīng)用還在不斷出現(xiàn), 包括用于制造陶瓷、復(fù)合材料、功能材料、生物材料、高能材料等等，成為許多新技術(shù)、新材料、新器件的基礎(chǔ)。硅烷又以它的自燃、爆炸性而著稱。硅烷有非常寬的自發(fā)著火范圍和的燃燒能量，決定了它是一種高危險性的氣體。
半導(dǎo)體廠房硅烷氣體泄漏檢測主要特點(diǎn)：
★速核系統(tǒng)：采用高精度32位高速微處理器，Epsion數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，速測危害氣體，高效預(yù)警毒氣泄漏；
★多級標(biāo)定：業(yè)內(nèi)智能化多級校準(zhǔn)技術(shù)，多重濾波技術(shù)，更精準(zhǔn)更快速地反饋現(xiàn)場濃度值；
★自動標(biāo)定：通入實際標(biāo)氣，無需標(biāo)定員操作，智能識別標(biāo)定；
★穩(wěn)定性：經(jīng)過嚴(yán)格的進(jìn)料篩選工序，及行業(yè)經(jīng)驗十幾年的研發(fā)人員匠心打造，抗EMC、EMI干擾，大幅度提高的可靠性；
★多結(jié)構(gòu)的通訊方式：支持4-20mA與RS485單路或多路同時通訊，有線與內(nèi)置無線433M/GPRS等無線多路通訊（選配）；
★規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)：JJF 1363-2012，JJF 1368-2012，JJF 1421-2013，JJF 1364-2012；GB3836-2010，GB 12476.5-2013。
半導(dǎo)體廠房硅烷氣體泄漏檢測技術(shù)規(guī)格參數(shù)及氣體種類： | ||||||
檢量程測氣體 | 硅烷 | 量程 | 0-10PPM/0-50PPM/0-20PPM （更多量程可以咨詢） | |||
分辨率 | 0.01PPM | 檢測原理 | 電化學(xué)原理/光離子原理 | |||
精度 | ≤±3F.S | 顯示方式 | 320*240高清彩屏 | |||
響應(yīng)時間 | T90＜30S | 恢復(fù)時間 | ≤30S（T90-T10) | |||
使用壽命 | 傳感器2-3年 | 檢測方式 | 擴(kuò)散式 | |||
重復(fù)性 | ≤±1%F.S | 繼電器 | 容量 220VAC /24VDC | |||
無線輸出 （選配） | 433M（≤無障礙3公里 ）（定制） GPRS（無距離限制）（定制） WIFI/zigbee/LORA（定制） | 有線輸出 （選配） | 485+開關(guān)量輸出 （標(biāo)配） 4-20mA+RS485+開關(guān)量報警輸出 （定制） 以上任選一種 | |||
防護(hù)等級 | IP66 | 防爆等級 | 隔爆型：ExdⅡCT6 Gb | |||
尺寸 | 205*140*92mm(L×W×H) | 探頭材質(zhì) | 鋁合金、不銹鋼（可選） | |||
安裝方式 | 壁掛式、桿裝式、管道式 | 重量 | 1KG | |||
工作電壓 | 12-35VDC，常用12VDC、24VDC | 電氣接口 | 接線口尺寸：內(nèi)螺牙 M20*1.5（ G1/2內(nèi)螺牙、G3/4內(nèi)螺牙、 1/2NPT | |||
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 探測器、說明書、紅外遙控器、廠家出廠檢測報告 | 選配件 | 防爆聲光報警、安裝支架、管道式安裝配件等 | |||
工作環(huán)境 | 溫度：催化燃燒：-40~+70℃；電化學(xué)：-20~+50℃；PID：-20~+50℃；紅外：-20~+50℃ 熒光法：-20~+50℃； 氧化鋯：-40℃~+700℃ 壓力：86-110Kpa；（氧化鋯：≤0.6Mpa) 濕度：15%RH~95%RH（無凝露） | |||||
產(chǎn)品功耗 | 電化學(xué)傳感器：P≤1.2W 紅外傳感器：P≤2.0W 普通催化傳感器：P≤2.6W 低功耗催化傳感器：P≤1.5W 熱導(dǎo)傳感器：P≤2.0W | |||||
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) | GB15311.1-2003；GB3836.1-2010；GB3836.2-2010；GB3836.4-2010 | |||||
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