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目錄:賽默飛電子顯微鏡>>透射電子顯微鏡(TEM)>> 透射電鏡Spectra Ultra S/TEM

透射電鏡Spectra Ultra S/TEM
  • 透射電鏡Spectra Ultra S/TEM
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 FEI/賽默飛
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時(shí)間:2024-08-28 13:37:20瀏覽次數(shù):481評(píng)價(jià)

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應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工
透射電鏡Spectra Ultra S/TEM
高亮度肖特基場(chǎng)發(fā)射槍,配備超穩(wěn)定單色器和加速電壓,可調(diào)諧能量分辨率范圍為 1eV-<0.05eV(60kV 下 <0.025eV)

要真正優(yōu)化 S/TEM 成像,EDX 和 EELS 可能需要在不同加速電壓下采集不同信號(hào)。規(guī)則可能因樣品而異,但得到普遍接受的觀點(diǎn)是:1) 最佳成像在可能的最高加速電壓下完成,高于該電壓將發(fā)生可見損害;2) EDX,特別是在映射時(shí),會(huì)受益于更低電壓和增加的電離橫截面,從而為給定的總劑量產(chǎn)生更好的信噪比圖;3) EELS 在高電壓下工作效果好,可以避免多重散射,這種散射會(huì)在樣品厚度增加時(shí)降低 EELS 信號(hào)。

遺憾的是,在不同加速電壓下于同一樣品上進(jìn)行采集而不丟失目標(biāo)區(qū)域(全都在一次顯微鏡檢查中實(shí)現(xiàn))并不可行。至少到現(xiàn)在為止是這樣。

想象一下,對(duì)于 Thermo Scientific Spectra 300 S/TEM:

  • 在一次顯微鏡檢查期間,它真正可以在不同的電壓下工作(購(gòu)買了校準(zhǔn)服務(wù)的所有 30 到 300 kV 之間的電壓)

  • 從加速電壓切換到任何其他電壓只需大約 5 分鐘

  • 它可以適應(yīng)具有 4.45 srad 立體角(配備分析雙傾臺(tái)時(shí)為 4.04 srad 立體角)的截然不同的 EDX 概念

使用全新的 Spectra Ultra S/TEM,加速電壓會(huì)成為就像束流一樣的可調(diào)節(jié)參數(shù),對(duì)傳統(tǒng) EDX 分析而言電子束敏感性過(guò)高的材料,可以使用大型 Ultra-X EDX 系統(tǒng)對(duì)其進(jìn)行化學(xué)表征。

Spectra Ultra 像差校正 S/TEM 可在材料科學(xué)和半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的多種樣品上提供行業(yè)水平的最高分辨率表征能力。

透射電鏡Spectra Ultra S/TEM建立在一個(gè)超穩(wěn)定的基礎(chǔ)上

Spectra Ultra S/TEM 在一個(gè)平臺(tái)上交付,該平臺(tái)旨在通過(guò)被動(dòng)和(選配)主動(dòng)隔振提供機(jī)械穩(wěn)定性質(zhì)量水平。

Thermo Scientific Spectra 200 S/TEMSpectra 300 S/TEM 一樣,該系統(tǒng)也安裝在一個(gè)重新設(shè)計(jì)的外殼內(nèi),其內(nèi)置屏幕顯示便于裝載和取出樣品。這是可以對(duì)無(wú)矯正器和單矯正器配置時(shí)的不同高度提供模塊化和可升級(jí)性,從而為不同的房間配置提供最大的靈活性。

主要特點(diǎn)

可從更多材料中在最短時(shí)間內(nèi)獲得優(yōu)化結(jié)果

透射電鏡Spectra Ultra S/TEM可從更多材料中在最短時(shí)間內(nèi)獲得優(yōu)化結(jié)果

由于能夠切換加速電壓,以及在不足五分鐘的時(shí)間里實(shí)現(xiàn)光學(xué)元件和樣品載物臺(tái)的穩(wěn)定性,因此具備了能力,并且可以采用更快速的新方法來(lái)操作顯微鏡,從樣品中提取出經(jīng)過(guò)優(yōu)化的信息。

  • 可在 300 kV 下采集樣品的最高分辨率空間信息 (50 pm)。然后,可以將系統(tǒng)切換到適合 STEM EDX 成分分布的較低加速電壓,提高同一區(qū)域具有更高 X 射線產(chǎn)額的電離橫截面,從而減少樣品損傷。

  • 對(duì)于遭受“爆震"損壞的樣品,可在一次顯微鏡檢查期間多次切換加速電壓,以減輕電子束損傷,并確保數(shù)據(jù)完整性得到保持。

這種能力是通過(guò)引入重新設(shè)計(jì)的物鏡來(lái)實(shí)現(xiàn)的,該透鏡可以恒定功率在 30 至 300 kV 之間的所有加速電壓下工作。

Stabilization of the stage after a switch from 60 to 300 kV.
從 60 切換至 300 kV 后載物臺(tái)的穩(wěn)定。

恒定功率概念于十五年前 Titan TEM 推出之時(shí),這款顯微鏡以前由 FEI 生產(chǎn)。它實(shí)現(xiàn)了在任何給定但固定的加速電壓下進(jìn)行模式切換都不會(huì)引起漂移,因?yàn)槲镧R熱載荷保持恒定?,F(xiàn)在,這一概念已擴(kuò)展到 30 至 300 kV 之間的所有電壓變化。

物鏡產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)因模式和加速電壓而發(fā)生很大變化。但對(duì)于 Spectra Ultra (S)TEM 的新物鏡來(lái)說(shuō),熱載荷始終保持恒定。在不同加速電壓之間切換后光學(xué)元件和載物臺(tái)的穩(wěn)定時(shí)間已從幾小時(shí)縮短至不到五分鐘。

加速電壓靈活性與 Ultra-X 探頭相結(jié)合的優(yōu)勢(shì)顯而易見??焖凫`活的 HT 控制與 Ultra-X 相結(jié)合,開啟了與經(jīng)過(guò)優(yōu)化的電子束敏感材料 STEM EDX 分析相結(jié)合以最高分辨率快速成像的大門。

加速電壓靈活性與 Ultra-X 相結(jié)合的優(yōu)點(diǎn)。STEM EDX 映射在兩種加速電壓下只需不到一小時(shí)即可完成。在 InAlGaAs 層狀標(biāo)本中觀察到 300 kV 下引發(fā)的標(biāo)本損傷。將加速電壓降至 200 kV 后,電子束引發(fā)的標(biāo)本損傷減少,EDX 映射得到明顯改善。標(biāo)本承蒙雷根斯堡大學(xué) J. Zweck 提供。

    利用劑量 STEM/EDX 表征更多材料

Spectra Ultra S/TEM 通過(guò)我們的 Ultra-X EDX 探頭將 EDX 檢測(cè)的下一個(gè)時(shí)代推向市場(chǎng)。Ultra-X 提供的立體角 (>4.45 Sr) 至少為任何其他 EDX 探頭解決方案的兩倍,其靈敏度在 STEM EDX 分析領(lǐng)域開啟了新的能力。即使考慮到分析雙傾臺(tái)的遮擋,立體角也 >4.04 srad

Spectra-ultra-tem-4
圖 2.單個(gè)探頭、Super-X、Dual-X 和新款 Ultra-X 的標(biāo)準(zhǔn)化計(jì)數(shù)率與傾斜角關(guān)系圖。在 200 kV 下記錄數(shù)據(jù),每個(gè)探頭配置均采用經(jīng)過(guò)優(yōu)化的標(biāo)本臺(tái)。Zaluzec 等人已提交給 Microscopy and Microanalysis,2021。

這種高靈敏度的優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)在使用 Ultra-X 獲得的光譜成像質(zhì)量改善上。圖中所示為使用相同的電子劑量 (8.28 x 108 e/?2) 時(shí),Super-X、Dual-X 和 Ultra-X 之間在分析 DyScO3 樣品上的比較。可以很容易地發(fā)現(xiàn)原始數(shù)據(jù)中呈現(xiàn)的信噪比改善。此外,可使用 Ultra-X 直接對(duì)氧原子柱成像,Super-X 和 Dual-X 則無(wú)法實(shí)現(xiàn)。

A quantitative comparison is shown between Super-X, Dual-X, and Ultra-X on a DyScO3 specimen. The improvements in the signal-to-noise ratio are clearly seen. Specimen courtesy of L.F. Kourkoutis, Cornell University.
圖 3.圖中顯示了 Super-X、Dual-X 和 Ultra-X 之間在分析 DyScO3 標(biāo)本上的定量比較。可以清楚地看到信噪比的改善。標(biāo)本承蒙康奈爾大學(xué) L.F.Kourkoutis 提供。

此外,Ultra-X 的高靈敏度意味著獲得相同程度的化學(xué)信息,只需其他 EDX 探頭解決方案所需電子劑量的一小部分。這為對(duì)更多電子束敏感標(biāo)本進(jìn)行 STEM EDX 分析以及加快映射速度以獲得更穩(wěn)定的標(biāo)本開啟了可能性。

Figure 4. Identical line profiles extracted from the spectrum images demonstrate that a similar signal-to-noise ratio can be obtained with Ultra-X with only a fraction of the electron dose needed for Super-X. Specimen courtesy of L.F. Kourkoutis, Cornell University.
圖 4.從光譜圖像中提取的類似譜線輪廓恒明,使用 Ultra-X 獲得類似的信噪比只需 Super-X 所需電子劑量的一小部分。標(biāo)本承蒙康奈爾大學(xué) L.F.Kourkoutis 提供。
Panther STEM 探頭系統(tǒng)具有靈敏度

采用 Panther STEM 探頭系統(tǒng) Spectra Ultra S/TEM 上的 STEM 成像已經(jīng)經(jīng)過(guò)重新設(shè)計(jì),該系統(tǒng)包括一個(gè)新的數(shù)據(jù)采集架構(gòu)和兩個(gè)新的固態(tài)八段環(huán)形和盤式 STEM 探頭(總共 16 段)。新的探頭幾何結(jié)構(gòu)具有先進(jìn)的 STEM 成像能力以及測(cè)量單個(gè)電子的靈敏度。

Scanning image of the 16 segmented ring and disk detectors with an intensity profile (in red) proving the excellent homogeneity of sensitivity across the segments.
證明段間靈敏度均勻性出色的帶強(qiáng)度輪廓(紅色)16 段環(huán)形和盤式探頭掃描圖像。

整個(gè)信號(hào)經(jīng)過(guò)優(yōu)化和調(diào)整,以極低劑量提供信噪比成像能力,便于對(duì)電子束敏感性材料進(jìn)行成像。此外,重新開發(fā)的數(shù)據(jù)采集基礎(chǔ)架構(gòu)可以組合不同的單個(gè)探頭區(qū)段,未來(lái)可能以任意方式組合檢測(cè)器區(qū)段,生成新的 STEM 成像方法并揭示傳統(tǒng) STEM 技術(shù)中不能夠獲得的信息。該架構(gòu)還具有可擴(kuò)展性,并提供了同步多個(gè) STEM 和譜信號(hào)的接口。

High-angle annular dark-field (HAADF) images of SrTiO?.
用 Panther STEM 探頭系統(tǒng),在 3 pA,1.3 pA 和 <1 pA 探針電流下采集的 SrTiO? [001] HAADF 圖像對(duì)比。即使探頭電流 <1 pA,圖像中的信噪比也允許像 OptiSTEM + 這樣的自動(dòng)化程序校正聚光鏡光學(xué)系統(tǒng)中的一階和二階像差,從而提供清晰的圖像。
Scanning transmission electron microscopy image of a metal organic framework.
金屬有機(jī)框架 (MOF) UiO 66 的極低劑量成像。將 <0.5 pA 的探針電流與 iDPC 和 Panther STEM 探頭系統(tǒng)結(jié)合使用,在這種高劑量靈敏度材料中對(duì)原子級(jí)細(xì)節(jié)進(jìn)行成像,空間分辨率達(dá) 1.4 ?。圖像是一個(gè)幀時(shí)間為 23.5 秒的單次激發(fā)。標(biāo)本承蒙阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)的 Y. Han 教授提供。(Spectra 300 TEM 上獲得的數(shù)據(jù)。)
高分辨率 STEM 成像性能

高分辨率 STEM 成像性能

Spectra Ultra S/TEM 配備了全新 S-TWIN' (S-TWIN Prime) 極靴。S-TWIN' 基于 S-TWIN 設(shè)計(jì)。它在 STEM 中提供超高空間分辨率(例如,300 kV 下為 50 pm,60 kV 下為 96 pm),并為需要大傾斜角或笨重原位架的實(shí)驗(yàn)提供寬間隙。

S-TWIN' 的不同之處在于,它能夠支持立體角 EDX 解決方案(請(qǐng)參閱有關(guān) Ultra-X 的部分)而不影響空間分辨率。S-TWIN' 與增強(qiáng)了機(jī)械穩(wěn)定性的底座以及最新的 S-CORR 探針矯正器相結(jié)合,與 Spectra 300 TEM 的合并空間分辨率和合并高探針電流規(guī)格匹配。

高能量分辨率和高亮度源

X-FEG/Mono 或 X-FEG/UltiMono

Spectra Ultra S/TEM 可選配標(biāo)準(zhǔn)單色器 (X-FEG Mono) 或高能量分辨率單色器 (X-FEG/UltiMono)。兩種單色器分別使用 OptiMono 或 OptiMono+ 通過(guò)單擊操作自動(dòng)激發(fā)和調(diào)諧來(lái)實(shí)現(xiàn)每種配置可能達(dá)到的最高能量分辨率。

X-FEG/Mono 可以從 1 eV 自動(dòng)下調(diào)到 0.2 eV,而 X-FEG/UltiMono 可以從 1 eV 自動(dòng)下調(diào)到 <25 meV。

兩種電子源均可在 30 – 300 kV 范圍內(nèi)工作,以適應(yīng)廣泛的標(biāo)本。兩者都可以在單色器關(guān)閉的標(biāo)準(zhǔn)模式下運(yùn)行,以適應(yīng)需要高亮度的實(shí)驗(yàn),包括 STEM EDS 映射、超高分辨率 STEM 或高總電流,如 TEM 成像,所有這些都不會(huì)影響到系統(tǒng)的其他指標(biāo)。這種靈活性使 Spectra Ultra (S)TEM 能夠滿足在一個(gè)系統(tǒng)上進(jìn)行大量各種實(shí)驗(yàn)工作的要求。

OptiMono+ 在 60 kV 下的 X-FEG/UltiMono 可以激發(fā)從單色器關(guān)閉狀態(tài)的 1 eV 能量分辨率到單色器激發(fā)態(tài)的 <30 meV。(Spectra 300 TEM 上獲得的數(shù)據(jù)。)

X-CFEG

Spectra Ultra S/TEM 可選配新型冷場(chǎng)發(fā)射槍 (X-CFEG) 供電。X-CFEG 具有的亮度 (>>1.0 x 108 A/m2/Sr/V*),低能量分布 (<0.4 eV),并可在 30 到 300 kV 范圍內(nèi)操作。這同時(shí)提供高分辨率 STEM 成像和高探針電流,實(shí)現(xiàn)高通量、快速采集 STEM 分析與高能量分辨率。憑借 X-CFEG 和 S-CORR 探針像差校正器的強(qiáng)大組合,可以常規(guī)地實(shí)現(xiàn)亞埃 (<0.8 ?) STEM 成像分辨率和超過(guò) 1,000 pA 的探針電流。

High-angle annular dark-field (HAADF) images of silicon.
使用 X-CFEG/S-CORR 組合采集的 Si[110] HAADF 圖像;探針電流范圍從 0.016 nA(左)到 1 nA(右),同時(shí)保持 <76 pm STEM 分辨率。

此外,探針電流可以靈活地在 <1 pA 到 nA 范圍調(diào)節(jié),同時(shí)精確控制電子槍和聚光鏡系統(tǒng),所有這些操作都對(duì)聚光鏡像差影響很小,因此可以適應(yīng)廣泛的樣品和實(shí)驗(yàn)。

與所有冷場(chǎng)發(fā)射源一樣,尖銳的需要周期性再生(稱為 flashing)以維持探針電流。使用 X-CFEG,每個(gè)工作日只需要 flashing 一次,過(guò)程只需不到一分鐘。即使在最高分辨率成像條件下,對(duì)探針像差也沒有可測(cè)量的影響,并且每日 flashing 過(guò)程對(duì)壽命沒有影響。

X-CFEG 的 flashing:在 flashing 之前和之后 200 kV 下保持 60 pm 的分辨率而不用調(diào)整光路。整個(gè)過(guò)程耗時(shí) <1 min,每個(gè)工作日僅需要一次,并且對(duì)的壽命沒有影響。

在使用大面積的平行光進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn) TEM 成像實(shí)驗(yàn)(例如原位)時(shí),新一代 X-CFEG 還可以產(chǎn)生足夠的總束流 (>14 nA) 使其具有通用性,同時(shí)又是高性能 C-FEG。

除了靈活性,X-CFEG 還具有通過(guò)改變提取電壓來(lái)調(diào)整能量分辨率的能力。

在下例中,在 0.39eV(探針電流 <500pA)和 0.31eV(探針電流 >300pA)之間調(diào)整了能量分辨率。在高能量分辨率下保持高探針電流可以對(duì)能量損失近邊結(jié)構(gòu) (ELNES) 進(jìn)行詳細(xì)分析,而無(wú)需在核心損失邊緣上使用單色器??臻g分辨率(如 DyScO3 的 HAADF 圖像所示)仍然不受影響(在本例中 <63pA),這意味著現(xiàn)在可以同時(shí)進(jìn)行高空間分辨率、能量分辨率和信噪比的 STEM EELS 實(shí)驗(yàn)。

壽命不受選擇用于進(jìn)行實(shí)驗(yàn)的拔出電壓的影響。

超高亮度 X-CFEG 的能量分辨率可以通過(guò)提取電壓來(lái)調(diào)節(jié)。在上例中,在 0.39eV(探針電流 <500pA)和 0.31eV(探針電流 >300pA)之間調(diào)整了能量分辨率??臻g分辨率(如 DyScO3 的 HAADF 圖像所示)仍然保持不變(在本例中 <63pA)。樣品承蒙康奈爾大學(xué)教授 L.F.Kourkoutis 提供

先進(jìn)的 STEM 成像能力

Spectra Ultra S/TEM 可配置電子顯微鏡像素陣列探頭 (EMPAD) 或具有速度增強(qiáng)功能的 Thermo Scientific Ceta™ 相機(jī),以收集 4D STEM 數(shù)據(jù)集。

EMPAD 能夠用在 30 – 300 kV 并在 128x128 像素陣列上提供高動(dòng)態(tài)范圍(像素之間 1:1,000,000 e-)、高信噪比 (1/140 e-) 和高速度(每秒 1,100 幀),這使得它成為 4D STEM 應(yīng)用的最佳探頭(例如,需要同時(shí)分析中心束和衍射束的細(xì)節(jié)時(shí),如下面疊層成像圖像所示)。

更多細(xì)節(jié)可以在  EMPAD 數(shù)據(jù)表中找到。

MoS? 的電子顯微鏡像素陣列探頭 (EMPAD) 圖像。

EMPAD 檢測(cè)器可用于各種應(yīng)用領(lǐng)域。在左側(cè),它用于在 2D 材料雙層 MoS? 將低加速電壓 (80 kV) 空間分辨率擴(kuò)展到光闌限制分辨率更高 (0.39 ?)( Jiang, Y. 等人Nature 559、343–349,2018)。在右邊,它用于暗場(chǎng)反射的獨(dú)立成像,揭示出高溫合金中析出相的復(fù)雜微觀結(jié)構(gòu)(樣品由曼徹斯特大學(xué)的 G. Burke 教授提供)。

當(dāng)需要將 EDS 分析與 STEM 掃描中的每個(gè)點(diǎn)組合時(shí),具有速度增強(qiáng)功能的 Ceta 相機(jī)為需要更多像素的 4D STEM 應(yīng)用提供了另一種選擇。該解決方案提供更高分辨率的衍射圖案(高達(dá) 512 x 512 像素分辨率),適用于應(yīng)力測(cè)量等應(yīng)用。

Spectra Ultra S/TEM 的原位功能

Spectra Ultra S/TEM 采用一體化 S-TWIN 寬間隙極靴,可兼容多種用于原位實(shí)驗(yàn)的樣品桿。Thermo Scientific NanoEx 系列樣品桿可與顯微鏡無(wú)縫集成,實(shí)現(xiàn)基于 MEMS 設(shè)備的加熱,可在高溫下進(jìn)行原子成像。下面為金納米顆粒被加熱到 700 攝氏度,并且在速度增強(qiáng)的 Ceta 相機(jī)上以高于每秒 30 幀的速率 4k 像素分辨率全幀拍攝到的運(yùn)動(dòng)。結(jié)果是得到了高空間和時(shí)間分辨率的高動(dòng)態(tài)分子行為。


左側(cè)是高溫下金納米島的高幀率視頻,在具有速度增強(qiáng)功能的 Ceta 相機(jī)上收集。右側(cè)是 4k x 4k 傳感器對(duì)感興趣區(qū)域數(shù)字變焦同時(shí)保持高分辨率。

Spectra Ultra Webinar

應(yīng)要求舉辦的網(wǎng)絡(luò)講座:使用 (S)TEM 和 EDX 擴(kuò)大材料分析的視野

(掃描)透射電子顯微鏡 (S)TEM 和能量色散 X 射線光譜 EDX 是免費(fèi)技術(shù),可以利用它們對(duì)材料進(jìn)行精細(xì)到原子級(jí)別的結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分表征。

查看我們的兩部分按需網(wǎng)絡(luò)講座,了解 (S)TEM 和 EDX 領(lǐng)域的哪些科技進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了對(duì)迄今為止種類最多樣材料的分析,包括電子束敏感材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品。

規(guī)格

未校正

  • 能量散布:0.2–0.3 eV

  • 信息限制:<100 pm

  • STEM 分辨率:<136 pm

探針已校正

  • 能量散布:0.2–0.3 eV

  • 信息限制:<100 pm

  • STEM 分辨率:<50 pm(30 kV 下 125 pm)

探針+圖像校正 X-FEG/Mono                                 

  • 能量散布:0.2–0.3 eV

  • 信息限制:<60 pm

  • STEM 分辨率:300kV 下探針電流 >30pA 時(shí) <50 pm
    STEM 分辨率:30kV 下探針電流 >20pA 時(shí) <125 pm

探針+圖像校正 X-FEG/UltiMono                                       

  • 能量散布:0.05 eV(60kV 下 0.025 eV)

  • 信息限制:<60 pm

  • STEM 分辨率:300kV 下探針電流 >30pA 時(shí) <50 pm
    STEM 分辨率:30kV 下探針電流 >20pA 時(shí) <125pm

探針+圖像校正 X-CFEG

  • 能量散布:0.4 eV

  • 信息限制:<70 pm

  • STEM 分辨率:探針電流 >100pA 時(shí) <50 pm(30 kV 下 <136 pm)

離子源

  • X-FEG Mono:高亮度肖特基場(chǎng)發(fā)射槍和單色器,可調(diào)諧能量分辨率范圍為 1-<0.2 eV

  • X-FEG UltiMono:高亮度肖特基場(chǎng)發(fā)射槍,配備超穩(wěn)定單色器和加速電壓,可調(diào)諧能量分辨率范圍為 1eV-<0.05eV(60kV 下 <0.025eV)

  • X-CFEG:超高亮度,總射束電流為 14nA 時(shí)固有能量分辨率 <0.4 eV,總射束電流為 2nA 時(shí)分辨率 <0.3eV

  • 30 – 300 kV 的靈活高張力范圍


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